สวิตช์ RF MEMS ความเร็ว 40 Gbps DPDTผู้ผลิตสวิตช์และรีเลย์คุณภาพสูงจากไต้หวัน | ผู้ผลิตสวิตช์และรีเลย์คุณภาพสูงจากไต้หวัน

สวิตช์ RF MEMS ความเร็ว 40 Gbps DPDT

MM5600

นี่คือสวิตช์ DPDT สำหรับการสลับสัญญาณเชิงต่างความเร็วสูง MM5600 อิงจากเทคโนโลยี Ideal Switch ของ Menlo Micro และสามารถทำงานได้สูงสุดถึง 40 Gbps สำหรับแอปพลิเคชันสัญญาณดิจิทัล หรือแอปพลิเคชัน RF ประสิทธิภาพสูงสูงสุดถึง 20 GHz MM5600 มีการสูญเสียการแทรกต่ำ ความเร็วในการสลับเร็ว ไดโอด ESD ภายใน และสามารถทำงานได้มากกว่าสามพันล้านรอบการสลับ.

ตัวควบคุมที่รวมอยู่ใน MM5600 ถูกควบคุมโดยอินเทอร์เฟซอนุกรมเป็นขนานที่ขับเคลื่อนสายเกตแรงดันสูงของสวิตช์ การออกแบบยังมีพอร์ตแบบขั้วเดียวแยกกันสองพอร์ตและการลดขนาดลงถึง 90% เมื่อเปรียบเทียบกับโซลูชัน EM รีเลย์ที่คล้ายกัน จำเป็นต้องมีแหล่งจ่ายไฟโลจิก +5 VDC ภายนอกและแหล่งแรงดันสูง +89 VDC สำหรับการทำงานของตัวควบคุมสวิตช์ภายใน.

Toward ทำหน้าที่เป็นการสนับสนุนทางเทคนิคและผู้จัดจำหน่ายของ Menlo Micro ในเอเชีย กรุณาติดต่อเราสำหรับข้อมูลเพิ่มเติม.

เพิ่มในรายการ

สอบถามตอนนี้

คุณสมบัติ

เทคโนโลยี Ideal Switch® ที่จัดทำโดย Menlo Micro
DC ถึง 20 GHz ช่วง, สูงสุด 40 Gbps
DPDT
การสูญเสียการแทรก (โหมดซิงเกิลเอนด์) 1.3dB @ 10GHz
ความเป็นเชิงเส้น IP3 77 dBm
การแยก (โหมดซิงเกิลเอนด์) 24dB @ 10 GHz
ความเชื่อถือได้สูง: มากกว่า 3 พันล้านการทำงานสลับ
การป้องกัน ESD สูงสุด 500V

รูปแบบการติดต่อ

DPDT (MEMS Switch)

ความถี่

DC to 20 GHz range, up to 40 Gbps

แรงดันไฟฟ้าของโหลด (V)

กระแสโหลด (A)

ความต้านทาน (Ω)

การสูญเสียการแทรก

1.3dB@ 10GHz [Single-Ended mode]

การสูญเสียการกลับ

11dB @ 10GHz [Single-Ended mode]

การแยก

24dB @10GHz [Single-Ended mode]

การป้องกัน ESD

500V

ประสิทธิภาพของ MM5600 ที่ 32 Gbps

แผนภาพตาของ MM5600 แสดงประสิทธิภาพที่ 32 Gbps

ประสิทธิภาพของ MM5600 ที่ 40 Gbps

แผนภาพตาของ MM5600 แสดงประสิทธิภาพที่ 40 Gbps

ประสิทธิภาพของ MM5600 ที่ 32 Gbps (ไม่ได้ถอดออก)

แผนภาพตานี้แสดงประสิทธิภาพของ MM5600 ที่ 32Gbps (ตัวต่อ RF และเส้นต่อ RF ไม่ได้ถอดออก)

ความต้านทานในการติดต่อของ MM5600 ในระหว่างการทำงานกว่า 10 ล้านวงจรที่อุณหภูมิ 85°C

กราฟด้านล่างแสดงความแปรปรวนของความต้านทานในการติดต่อของ MM5600 ในระหว่างการทำงานกว่า 10 ล้านวงจรที่อุณหภูมิ 85°C

ความต้านทานในการติดต่อของ MM5600 ในระหว่างการทำงานกว่า 10 ล้านวงจรที่อุณหภูมิ 25°C

กราฟด้านล่างแสดงความแปรปรวนของความต้านทานในการติดต่อของ MM5600 ในระหว่างการทำงานกว่า 10 ล้านวงจรที่อุณหภูมิ 25°C

ประสิทธิภาพของ MM5600 ในเรื่องเสียงรบกวนของเฟส

ระดับเสียงรบกวนและจิตเวลาต่ำมาก: -140dBc@1 MHz offset; <20fs jitter/ วัดโดย R&S Signal Analyzer ด้วยตัวเลือกเฟสรบกวน

MM5600: บอร์ดทดสอบลูปแบ็คความเร็วสูง Dual DPDT

วงจรนี้ใช้สวิตช์เชิงต่าง MM5600 สองตัวที่กำหนดค่าในรูปแบบ DPDT คู่พร้อมการวนกลับ การตั้งค่านี้รองรับอัตราข้อมูลสูงสุดถึง 40 Gbps เพื่อตอบสนองความต้องการที่เร็วที่สุดของ PCIe Gen. 5 การออกแบบบอร์ดนี้ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับประสิทธิภาพ RF ที่มีการสูญเสียต่ำ.