8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit LoopbackLieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 8 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der AMS-422-L ist für einen verbesserten ESD-Schutz von bis zu 2KV HBM mit Loopback ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind. ['Toward'] ist ein hochwertiger Hersteller von RF MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisherstellung ist ['Toward'] auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. seit 1988

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8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit Loopback

RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) 8GHz DPDT mit Loopback / Bright Toward Industrial ist ein Hersteller von Solid State Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) 8GHz DPDT mit Loopback
  • 8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) 8GHz DPDT mit Loopback
8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit Loopback
AMS-422-L

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 8 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der AMS-422-L ist für einen verbesserten ESD-Schutz von bis zu 2KV HBM mit Loopback ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind.

Merkmale
  • DC bis 8GHz
  • DPDT
  • Hohe Linearität IP3 > 90 dBm
  • Einfügedämpfung im eingeschalteten Zustand: 3,0 dB @ 8 GHz
  • 35 dB Isolation @ 8 GHz
  • Kapazität im ausgeschalteten Zustand bei 15fF
  • 3 Milliarden Schaltvorgänge
  • 3 Mikrosekunden Einschaltzeit
  • 2000V ESD (HBM)
Kontaktformular
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequenz
  • 8 GHz
Leistungsfähigkeit
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Eingangsspannung (V)
  • 150
Laststrom (A)
  • 0.5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 1
Einfügeverlust
  • 3dB @ 8GHz
Rückgabeverlust
  • 10dB@ 8GHz
Isolierung
  • 35dB
ESD-Schutz
  • 2,000V
Anwendung
  • Geschaltete Filterbänke und abstimmbare Filter
  • Hochleistungs-RF-Front-Ends
  • Halbleiterprüfung
  • Antennentuning
  • Antennenstrahlausrichtung
  • Digitale Schritt-Dämpfer
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12GHz DPDT, RF MEMS-Schalter (ESD-verbessert)

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['Toward'] - 8 GHz DPDT mikro-mechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-Verbessert) mit Loopback Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial ein Lieferant und Hersteller von Relais. Hauptprodukte sind Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Festkörperrelais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

['Toward'] liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie der Welt und hat langfristige Partnerschaften mit OKITA Works in Japan, Menlo Microsystems in Kalifornien, JEL Systems in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches in Kalifornien. Hauptsächlich bedienen sie die Halbleiterprüfung, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), industrielle Maschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

['Toward'] bietet seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an. Mit fortschrittlicher Technologie und 37 Jahren Erfahrung stellt ['Toward'] sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.