Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con LoopbackFornitore | Produttore di Relè e Interruttori di Alta Qualità da Taiwan | Bright Toward Industrial

Questo è un interruttore RF MEMS micro-meccanico DPDT ad alta potenza (Lunghezza*Larghezza*Altezza: 7.5*4.4*2.0mm). Ogni canale è in grado di erogare una potenza in avanti superiore a 9W. Questo commutatore RF MEMS offre una perdita di inserzione ultra bassa e una linearità superiore da DC a 8GHz con oltre 3 miliardi di operazioni on/off. L'AMS-422-L è progettato per una protezione ESD migliorata fino a 2KV HBM con Loopback. È ideale nelle applicazioni in cui linearità, perdita di inserzione e protezione ESD sono parametri critici. ['Toward'] è un produttore di alta qualità di interruttori RF MEMS, relè Opto-MOS, relè Opto-MOSFET, relè Reed e relè a stato solido di Taiwan. Con oltre 30 anni di esperienza nella produzione di relè, ['Toward'] è specializzata nella produzione di diversi tipi di relè. dal 1988

Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con Loopback

Interruttore RF MEMS (potenziato ESD) 8GHz DPDT con Loopback / Bright Toward Industrial è un produttore di relè a stato solido, relè a reed e interruttori MEMS.

Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con Loopback - Interruttore RF MEMS (potenziato ESD) 8GHz DPDT con Loopback
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Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con Loopback
AMS-422-L

Questo è un interruttore RF MEMS micro-meccanico DPDT ad alta potenza (Lunghezza*Larghezza*Altezza: 7.5*4.4*2.0mm). Ogni canale è in grado di erogare una potenza in avanti superiore a 9W. Questo commutatore RF MEMS offre una perdita di inserzione ultra bassa e una linearità superiore da DC a 8GHz con oltre 3 miliardi di operazioni on/off. L'AMS-422-L è progettato per una protezione ESD migliorata fino a 2KV HBM con Loopback. È ideale nelle applicazioni in cui linearità, perdita di inserzione e protezione ESD sono parametri critici.

Caratteristiche
  • DC a 8 GHz
  • DPDT
  • IP3 ad alta linearità > 90 dBm
  • Perdita di inserzione nello stato attivo: 3.0 dB @ 8GHz
  • Isolamento 35 dB @ 8 GHz
  • Capacità nello stato spento a 15fF
  • 3 miliardi di operazioni di commutazione
  • Tempo di accensione di 3 microsecondi
  • 2000V ESD (HBM)
Forma di contatto
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequenza
  • 8 GHz
Gestione della potenza
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Tensione di carico (V)
  • 150
Corrente di Carico (A)
  • 0.5
Resistenza On (Ω)
  • 1
Perdita di Inserzione
  • 3dB @ 8GHz
Perdita di Ritorno
  • 10dB@ 8GHz
Isolamento
  • 35dB
Protezione ESD
  • 2,000V
Applicazione
  • Banche di filtri commutati e filtri sintonizzabili
  • Front-end RF ad alta potenza
  • Test di semiconduttori
  • Sintonizzazione dell'antenna
  • Spostamento del fascio dell'antenna
  • Attenuatori digitali a passi
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Scheda Dati AMS-422-L
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Interruttore RF MEMS DPDT da 12GHz (potenziato ESD)

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['Toward'] - Interruttore RF MEMS micro-meccanico 8 GHz DPDT (potenziato ESD) con Loopback Produttore

Situata a Taiwan dal 1988, Bright Toward Industrial è un fornitore e produttore di relè. I principali prodotti includono relè Opto-MOSFET, relè Opto-SiC MOSFET, relè a stato solido, relè Reed e interruttori RF MEMS.

['Toward'] fornisce relè alle industrie dei semiconduttori e automobilistiche del mondo da oltre tre decenni e ha partnership a lungo termine con OKITA Works con sede in Giappone; Menlo Microsystems con sede in California; JEL Systems con sede in Giappone e Teledyne Relays e Coax Switches con sede in California. Serve principalmente le industrie del collaudo dei semiconduttori, ATE, BMS (Sistemi di gestione della batteria), macchinari industriali e veicoli elettrici.

['Toward'] offre ai clienti relè Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET di alta qualità dal 1988, sia con tecnologia avanzata che con 37 anni di esperienza, ['Toward'] garantisce che le esigenze di ogni cliente siano soddisfatte.