60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA | 高品质60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA制造商 | 拓緯實業股份有限公司

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60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA

Available in all package types, 60V/ 550mA, Opto-MOS Relay, Leakage Current< 1nA/拓緯是继电器的专业制造商。主要产品有:磁簧继电器、光耦合继电器、射频微机电开关、碳化矽光耦合继电器、固态继电器。

60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA - 多种封装形式可选择,60V/550mA SPST-NO (1 Form A,2 Form A), Leakage Current< 1nA
  • 60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA - 多种封装形式可选择,60V/550mA SPST-NO (1 Form A,2 Form A), Leakage Current< 1nA
60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB37-pA, AA37-pA, AC37-pA, AB37F-pA, AA37F-pA, AC37F-pA, AB37S-pA, AC37S-pA

Available in all package types, 60V/ 550mA, Opto-MOS Relay, Leakage Current< 1nA

此光耦合继电器耐电压60伏,耐电流550毫安培,泄漏电流<1nA。此系列拥有微型尺寸、无寿命限制、以及极低泄漏电流的特点,适用于自动测试设备(ATE)、半导体测试、量测设备、传感设备等。可使用DIP-4/6/8、SMD-4/6/8、SOP-4/8封装。

 

全系列晶片式继电器从晶片设计到固晶、打线、封装、测试皆在拥ISO9001 与IATF16949 车规认证的拓緯新工厂1k无尘室中生产制造,品质、供应链管控、交期、客制化需求皆是优势。

为什么晶片式光耦合继电器需要特别设计低漏流晶片?

光耦合继电器采无接点设计,内部使用LED驱动MOSFET进行开关,无接点的设计解决了传统机械式与磁簧继电器接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳定等问题。但光耦合继电器也因为无接点的设计会有非常微小漏电流,超过一定值的漏电流无法被需要高精准度的量测与半导体测试市场所接受,为了解决这个问题,拓緯研发出了漏电流小于1nA 的光耦合继电器,大量用于半导体测试介面板讯号的开关与切换。

产品特性
  • 小尺寸
  • 无机械接点造就超长寿命
  • 无机械接点造就无声运作
  • 线性度表现佳
  • 低失真
  • 低耗电
  • 低杂讯
  • 高隔离
  • 高绝缘性
接点形式
  • 1 Form A
  • 2 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
  • 3750
  • 5000
交流/直流
  • AC
  • DC
耐电压(V)
  • 60
耐电流(A)
  • 0.55
封装形式
  • SMD-4
  • SMD-6
  • SMD-8
  • DIP-4
  • DIP-6
  • DIP-8
  • SOP-4
  • SOP-8
导通电组(Ω)
  • 0.75
产品应用
  • 电池管里系统(BMS)
  • 电动车
  • 半导体测试介面板
  • 半导体测试机(ATE)
  • 工业控制
  • 量测仪器
  • 感应仪器
  • 保全相关消费性产品
  • 电信设备
  • 调制解调器
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可负载60伏电压,550毫安培电流,采用DIP-6封装的半导体式小型光耦合继电器。在内部使用LED驱动MOSFET,因此在开关动作时可避免发出声响,同时拥有杰出的绝缘阻抗表现。此产品可以耐高流,并同时维持低且稳定的导通电阻,几乎无限制的寿命,让此产品备受电池管理系统大厂、工业控制厂商重用。此系列继电器皆于拥有ISO9001与IATF16949认证的拓緯新竹工厂1K无尘室中生产和测试,以确保产品品质和稳定性。

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37-pA Series-60V/550mA规格书
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1 Form A, 2 Form A,泄漏电流<1nA,多种封装形式

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拓緯 60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA服务简介

拓緯實業股份有限公司是一家拥有超过30年经验的专业60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA生产制造商. 我们成立于西元1988年, 在继电器研发与生产领域上,拓緯提供专业高品质的60V/550mA 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA制造服务,拓緯以追求为客户提供高品质的产品与服务为目标。