Der Weg zu einer Reduzierung des Fußabdrucks um 50 % und geringeren Wartungskosten durch das Upgrade von elektromechanischen Relais auf hochdichte MOSFET-Relaismodule
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Bei der Entwicklung von Testsystemen für SoCs der nächsten Generation stehen ATE-Hersteller vor der kritischen Anforderung, die Pin-Anzahl zu verdoppeln und gleichzeitig den gleichen physischen Platzbedarf beizubehalten. Der Platz auf Ladeboards und die Pins von Elektronik-Karten haben ihre physikalischen Grenzen erreicht, was eine weitere Verdichtung mit bestehenden Komponenten unmöglich macht. Diese Empfehlung skizziert die strategischen Vorteile der Migration zu den ['TOWARD'] Technologies MOS-Relaismodulen. Durch den Austausch von elektromechanischen Relais (EMRs) durch PhotoMOS-Technologie können Hersteller etwa. 50% Reduzierung des PCB-Fußabdrucks bei gleichzeitig nahezu vollständiger Eliminierung der Wartungskosten für Relais, die durch den Verschleiß mechanischer Kontakte verursacht werden.
Herausforderungen mit der aktuellen elektrischen mechanischen Relaisarchitektur
Die fortgesetzte Abhängigkeit von Standard-SMT-EMRs stellt drei kritische Barrieren dar, um Testsysteme über Tausende von Kanälen hinaus zu skalieren: Dichtesättigung, Die hohen Kosten der mechanischen Lebensdauer, SteuerungskomplexitätDie Lösung von ['TOWARD']
Migration zum "MOS-Relaismodul", um die Funktionalität der EMRs effizient zu ersetzen und die Systemdichte zu maximieren.- Technologiewandel: Von Physisch zu Elektrisch - Der Hauptvorteil liegt im physikalischen Wandel.
- Größenvergleich Hier ist ein Diagramm eines früheren Falls, in dem unser Kunde erfolgreich eines unserer 2 x 2:4 Relaismodule verwendet hat, um zwei 2 Form C Relais mit ähnlichen Spezifikationen zu ersetzen. Das Ergebnis sind ungefähr 45% Platzersparnis ohne Kompromisse bei der Funktionalität.
- Optimierung der Steuerlogik(Spannung vs. Strom): Der Übergang von spannungsgetriebenen Spulen zu stromgetriebenen LEDs bietet grundlegende Schaltkreisvorteile, die ['TOWARD'] für eine einfache Integration optimiert hat.
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Vergleich der Spezifikationen: Wo sich MOS-Relaismodule heute befinden – und wohin sie gehen
Während Größe und Zuverlässigkeit die beiden Hauptgründe sind, warum Teams in Betracht ziehen, von elektromechanischen Relais (EMRs) auf MOSFET-Relais umzusteigen, bestimmen letztendlich die elektrischen Spezifikationen, ob eine MOS-Lösung ein direkter Ersatz ist im Halbleitertest.EMRs nähern sich einer praktischen Miniaturisierungsgrenze – eine weitere Verkleinerung ohne Verlust wichtiger Spezifikationen wird zunehmend schwierig – während MOSFET-Relaisarchitekturen auf viel kleinere Flächen skaliert werden können.
Das gesagt, fallen Festkörperrelais (SSRs) mit nicht beweglichen Kontakten in bestimmten Spezifikationen, die von physischen Kontakten profitieren, immer noch hinter EMRs zurück, abhängig von der Anwendung.Die Lücke schließt sich schnell, und da die Kanaldichte und Miniaturisierung zu dominierenden Einschränkungen werden, haben viele Test- und Messkunden festgestellt, dass MOSFET-Relais kompetent einen großen Teil der heutigen EMR-Anwendungsfälle ersetzen können.Wie erwähnt, liefert unser MOSFET-Modul der ersten Generation, die CQM-Serie, eine ~ 50%ige Größenreduzierung im Vergleich zu vergleichbaren EMR-Modulen.
Ergebnisse
['TOWARD'] Das MOS-Relaismodul ist ein strategisches Infrastruktur-Upgrade, das ATE-Systeme in hochdichte, langlebige Plattformen verwandelt, die bereit sind für die Zukunft der Halbleiterprüfung.
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Empfehlung: Übernehmen Sie das MOS-Relaismodul, um:
- 50 % der PCB-Fläche für zusätzliche Ressourcen zurückzugewinnen.
- Ausfallzeiten durch mechanische Fehler zu beseitigen.
- Die Schaltungsgestaltung zu vereinfachen, indem Rauschunterdrückungskomponenten entfernt werden, während die 5V-Antriebskompatibilität erhalten bleibt.
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Fallstudie: Die hochdichten MOSFET-Relaismodule von ['Toward']
Der Weg zu einer Reduzierung des Fußabdrucks um 50 % und reduzierten Wartungskosten durch das Upgrade von elektrischen mechanischen Relais auf hochdichte...
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