80V/1.5A 光耦合繼電器,DIP-6
AA47
DIP-6, 80V/ 1.5A, Opto-MOS Relay
此產品採 DIP-6 封裝形式，耐電壓達80伏，耐電流達1.5安培。
光耦合繼電器內部設計原理使用 LED 驅動 MOSFET 進行開關，除了擁良好壽命表現外，輸入與輸出相對於一般電氣耦合的繼電器具有更好的隔離度與抗干擾。
此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質、交期、客製化需求、供應鏈管控皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 80
耐電流 (A)
- 1.5
封裝形式
- DIP-6
導通電組 (Ω)
- 0.13
產品應用
- 電池管裡系統 (BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
- 關聯產品
80V/1A 光耦合繼電器,DIP-8
AC47
此繼電器耐電流達1安培，耐電壓達80伏，採DIP-8封裝形式。光耦合繼電器設計原理無機械接點，內部使用LED驅動MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不佳與電性不穩等問題。此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
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80V/1.5A 光耦合繼電器,SMD-6
AA47F
此產品採SMD-6封裝形式，耐電壓達80伏，耐電流達1.5安培，為可負載高電流同時擁低導通電阻的半導體式小型光耦合繼電器。光耦合繼電器內部設計原理使用...
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80V/1A 光耦合繼電器,SMD-8
AC47F
此光耦合繼電器採用SMD-6封裝形式，耐電壓達80伏，耐電流達1安培，可負載高電流造就低導通電阻特性。除了微型尺寸設計，也結合了高絕緣性、良好線性度、良好壽命表現等特點。此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
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80V/1.25A 光耦合繼電器,SOP-4
AB47S
此產品為單刀單擲 (SPST) 常開的半導體式小型光耦合繼電器，使用SOP-4封裝形式，耐電壓達80伏，耐電流達1.25安培。此繼電器採無機械接點設計，內部設計原理使用LED驅動MOSFET進行開關，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不良與電性不穩等問題。AB47S...
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80V/1.5A 光耦合繼電器,洩漏電流< 1nA
AB47-pA, AA47-pA, AC47-pA, AB47F-pA, AA47F-pA, AC47F-pA, AB47S-pA, AC47S-pA,
此光耦合繼電器耐電流達1.5安培，耐電壓80伏，洩漏電流 < 1nA。此繼電器採無機械接點設計，內部使用LED驅動MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常使用下長達數十年之久，完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不良與電性不穩等問題。此低漏電流系列的封裝形式有SMD4/6/9、DIP-4/6/9、和SOP-4/8的選擇。此半導體式光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有...
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