650V/800mA 光耦合繼電器,DIP8-6
AM38
DIP8-6, 650V/ 800mA, Opto-MOS Relay
此光耦合繼電器，耐電壓達650伏，耐電流800毫安培，為A接點 (1 Form A)常開半導體式小型光耦合繼電器。使用DIP8-6的封裝形式。
內部由LED 驅動 MOSFET 進行開關，以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出相對於一般電氣耦合的繼電器具有更好的隔離度與抗干擾。
結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度等特點，此繼電器應用於半導體測試設備、電力調整器、電源供應器、工業控制等產業，其中大量用於電池管理系統 (Battery Managment System) 內電壓採集模組以及電池平衡電路板，也用於充電樁一次側二次側保護線路。
拓緯晶片型的繼電器能大量生產降低成本，並且從晶片設計到晶片切割、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質、交期、客製化需求皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 9.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 650
耐電流 (A)
- 0.8
封裝形式
- DIP8-6
導通電組 (Ω)
- 1
產品應用
- 電池管裡系統 (BMS)
- 電動車
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
- 量測儀器
- 感應儀器
- 保全相關消費性產品
- 電信設備
- 數據機
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600V/80mA 光耦合繼電器,DIP-6
AA38
此半導體式小型光耦合繼電器，耐電壓達600伏，耐電流80毫安培，輸入輸出絕緣耐壓可達5000Vrms，採DIP-6封裝。除了微型尺寸設計，也結合了高絕緣性、超長壽命和良好線性度等特點。38...
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600V/80mA 光耦合繼電器,SMD-4
AB38F
此產品可負載電壓600伏，電流80毫安培，為一個A接點常開 (1 Form A)組成的半導體式小型光耦合繼電器。提供極佳的絕緣性、線性度、開關速度快...
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600V/70mA 光耦合繼電器,SMD-8
AC38F
耐電壓達600伏，耐電流達70毫安培，是一顆採兩個A接點 (2 Form A)的雙通道半導體式小型光耦合繼電器。採SMD-8腳封裝形式，適合PC版空間有限卻需要多通道的應用。拓緯...
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600V/70mA 光耦合繼電器,SOP-4
AB38S
此產品採 4.4mm*4.4mm SOP-4腳封裝，可負載電壓達600伏，電流達70毫安培。光耦合繼電器採無機械接點的設計，結合LED驅動內部MOSFET進行開關，正常負載條件下開關可不斷運作直到LED光衰，因此繼電器壽命較不受限制。AB38S...
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650V/800mA 光耦合繼電器,DIP8-6
AM38
此光耦合繼電器，耐電壓達650伏，耐電流800毫安培，為A接點 (1 Form A)常開半導體式小型光耦合繼電器。使用DIP8-6的封裝形式。內部由LED...
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650V/800mA 光耦合繼電器,SMD8-6
AM38F
此繼電器可負載電壓650伏，耐電流800毫安培。產品在無機械接點設計下運用LED驅動MOSFET進行開關，正常負載下可不斷開關至LED光衰，因此使用壽命可延長至數十年之久。另外，SMD8-6的封裝形式，使爬電距離增加，增強絕緣表面積，產品耐用性也有著明顯的提升。結合微型尺寸設計、高絕緣性、和良好線性度等特點，此繼電器應用於半導體測試設備、電力調整器、電源供應器、工業控制等產業，其中大量用於電池管理系統...
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