Bright Towardは、台湾から高品質のRF MEMSスイッチ、オプトMOSリレー、オプトMOSFETリレー、リードリレー、ソリッドステートリレーを提供します。 | Bright Toward Industrial

Bright Towardは、台湾の高品質RF MEMSスイッチ、オプトMOSリレー、オプトMOSFETリレー、リードリレー、ソリッドステートリレーの製造業者です。1988年から30年以上のリレー製造経験を持ち、Bright Towardはさまざまな種類のリレーの製造を専門としています。

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Bright Toward Industrial

Bright Toward Technologies, Inc - ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチの製造業者です。

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結果 145 - 156 の 368
1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - DIP6-5、1200V/470mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA51

このシリコンカーバイドICミニチュア固体リレーは、最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を提供し、オン抵抗は0.6Ωです。...

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1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SMD6-5、1200V/470mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA51F

最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を持つ、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに最適です。...

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1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - DIP8-6、1200V/470mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51

1200Vの負荷電圧を持つコンパクトなDIP8-6パッケージには、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーがあります。このリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...

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1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SMD8-6、1200V/470mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51F

この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流、SMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに対応しています。...

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1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - DIP6-5、1700V/ 350mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52

このDIP6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、最大1700Vの負荷電圧、350mAの負荷電流に対応しており、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...

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1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SMD6-5、1700V/350mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52F

Bright Toward RELAYSの1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。シリコンカーバイドMOSFETとLEDをドライバーとして組み込むことで、高電圧と変動する環境に耐えながら、ほぼ無限の寿命を実現できます。

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3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - DIP6-5、3300V/300mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53

DIP6-5パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のSiC IC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...

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3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SMD6-5、3300V/300mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53F

SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、3300Vの負荷電圧を持ち、300mAの負荷電流を運ぶことができ、業界内で特異な地位を持っています。...

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3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - DIP8-6、3300V/300mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53

最大3300Vの負荷電圧をミニチュアDIP8-6パッケージで扱える当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...

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3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SMD8-6、3300V/300mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53F

SMD8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...

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クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー - パッケージユニーク、3000V/500mA SSRリレー SPST-NO(1フォームA)
クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー
AN53

このユニークなパッケージ化された3000V/500mAの小型シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、自動テスト装置(ATE)、バッテリー駆動デバイス、汎用電子テスト機器のクリープ距離を大幅に改善します。...

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3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) - SO-16、3300V/350mA SSRリレー クリープ距離>8mm SPST-NO(1フォームA)、SiC MOSFET
3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AS53F

当社の350mAシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、高需要のアプリケーションに適した製品で、最大3300Vの負荷電圧をサポートし、8mm以上のクリーピージ距離を確保しています。...

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結果 145 - 156 の 368

Bright Toward Technologies, Inc - ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチの製造業者です。

1988年から台湾に位置するBright Toward Industrialは、リレーの供給者および製造業者です。主な製品には、オプトMOSFETリレー、オプトSiC MOSFETリレー、ソリッドステートリレー、リードリレー、RF MEMSスイッチなどが含まれます。

Bright Towardは、世界の半導体および自動車産業に30年以上にわたりリレーを供給しており、日本に拠点を置くOKITA Works、カリフォルニアに拠点を置くMenlo Microsystems、日本に拠点を置くJEL Systems、カリフォルニアに拠点を置くTeledyne RelaysおよびCoax Switchesとの長期的なパートナーシップを築いています。主に半導体テスト、ATE、BMS(バッテリー管理システム)、産業機械および電気自動車産業にサービスを提供しています。

Bright Towardは1988年から高品質のオプトMOSFETおよびオプトSiC MOSFETリレーを提供しており、先進技術と37年の経験を持って、Bright Towardは各顧客の要求に応えています。