1200V/470mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA51
このシリコンカーバイドICミニチュアソリッドステートリレーは、470mAの負荷電流と0.6Ωのオン抵抗で最大1200Vの負荷電圧を提供します。...
詳細 リストに追加する1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA51F
最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流に対応した当社のシリコンカーバイドミニチュアICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
詳細 リストに追加する1200V/470mA DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM51
1200Vの負荷電圧でコンパクトなDIP8-6パッケージに収められたシリコンカーバイドミニチュアICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
詳細 リストに追加する1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM51F
この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流のSMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
詳細 リストに追加する1700V/350mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA52
この負荷電圧は1700Vまで、負荷電流は350mAのDIP6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。...
詳細 リストに追加する1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA52F
Bright Toward RELAYSの1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーション向けに設計されています。シリコンカーバイドMOSFETとLEDをドライバーとして組み込むことで、高電圧と変動する環境に耐えながら、ほぼ無限の寿命を実現できます。
詳細 リストに追加する3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA53
DIP6-5パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のSiC ICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AA53F
SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、3300Vの負荷電圧を持ち、300mAの負荷電流を運ぶことができ、業界内で独自の地位を持っています。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM53
ミニチュアDIP8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を扱うことができる当社のシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、業界で最も革新的です。...
詳細 リストに追加するクリープ距離を改善するためのユニークなパッケージ、3000V/500mA、ソリッドステートリレー
AN53
このユニークにパッケージされた3000V/500mAミニチュアシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、自動試験装置(ATE)、バッテリー駆動デバイス、汎用電子試験機器のためのクリープ距離を大幅に改善します。...
詳細 リストに追加する3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー (SiC MOSFET)
AS53F
私たちの350mAシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、高需要のアプリケーション向けに特別に設計されており、負荷電圧は最大3300Vまでサポートし、クリープ距離は8mm以上を確保しています。...
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