オプトMOSFETリレーとソリッドステートリレーの違いは何ですか？
ソリッドステートリレー（SSR）は、工場の自動化から精密テストシステムまで、接点を動かさずに電気的にスイッチングできるため、至る所で使用されています。このファミリーの中では、より具体的な用語であるオプトMOSFETリレーがよく見られます。この記事では、それぞれの用語の意味、動作原理、違い、エンジニアがどのように選択するかについて説明します。
クイック定義
ソリッドステートリレー（SSR）
機械的接点を半導体で置き換える電子スイッチ。ほとんどのSSRは、制御側と負荷側の間に絶縁を提供します。
オプトMOSFETリレー
これはSSRの一種で、入力にLEDを使用し（光絶縁のため）、出力にMOSFETを使用します（双方向ブロッキングのためにしばしばバックツーバックペアです）。「PhotoMOS」や「MOSFET SSR」といった名前を聞くこともあるかもしれません。
トライアック/サイリスタSSR
出力にトライアック（またはSCRペア）を使用する別の一般的なSSRアーキテクチャです。これらのデバイスは主にAC負荷のために設計されています。
彼らの仕組み（概要）
-
入力/アイソレーション:
オプトMOSFETとトライアックSSRは通常、入力LEDを使用します。順方向電流で駆動されると、LEDは絶縁バリアを越えて光を放出します。 -
出力ステージ:
- オプトMOSFET: 光がMOSFETをオンにするドライバーをトリガーします。バックツーバックMOSFETは、どちらの方向にも電流を流し、両方向の電圧をブロックします。
- トライアック/サイリスタ: 光は、AC半周期中にロックオンされ、電流がその保持電流を下回るとオフになるデバイスをトリガーします（抵抗性AC負荷の場合、これは一般的に次のゼロクロスで発生します）。
Opto-MOSFETリレーの動作についてさらに学ぶにはこちらをクリックしてください。
主な違い
| 側面 | オプトMOSFETリレー | トライアック/サイリスタSSR |
|---|---|---|
| 出力デバイス | MOSFET（通常はバックツーバック） | トライアックまたはSCRペア |
| 動作する | 定格電圧内のDCおよびAC (back-to-back MOSFETs for bidirectional blocking) | ACのみ (natural turn-off as current drops below holding current, typically at zero-cross) |
| オフ状態の漏れ | 低い (nA–µA range typical) | 高い (can be mA-level due to device and snubber paths) |
| 「オン」動作 | Low RON (I·R loss) | Conduction characterized by a voltage drop rather than Rオン |
| オフ状態の静電容量 | 低い (reduces feedthrough) | あまり強調されていない |
| スイッチング制御 | 高速、精密, not tied to waveform phase | Often ゼロクロス or ランダムターンオン variants for AC control |
| 典型的な強み | 精密信号、測定、DCパス | コスト効果の高いACメイン制御 |
各リレーを選ぶタイミングはいつですか？
- オプトMOSFETリレーを選択する必要がある場合は、低漏れ、低オフ容量、クリーンスイッチング、およびDCまたはデバイスの定格内のACを処理する能力を持っています。これらの特性は、計測、データ取得、半導体テスト、バッテリーシステム、および信号多重化において重要です。
- トライアック/サイリスタSSRを選択 の制御を行うときは、ACメインを使用して、ヒーター、ランプ、一部のモーターなどの負荷に対応します。特に、ゼロクロススイッチングがEMIとストレスを軽減する場合において。
ソリッドステートリレーの主な用途
- 精度とテスト： オプトMOSFETリレーは、漏れとフィードスルーが厳密に制御されなければならない力/センスパス、マトリックススイッチング、高インピーダンスノードで優れています。
- バッテリーおよびEV BMS: 光絶縁とnAからµAのリーク、予測可能なオン抵抗により、オプトMOSFETリレーはセンシングおよび保護経路に適しています。
- 施設および産業用AC負荷: トライアックSSRは、主電源で動作するヒーター、照明、および同様のAC専用負荷に対して実用的で経済的な選択肢であり、EMIを制限するためにゼロクロスバリアントを使用することがよくあります。
Bright Toward テクノロジーズのソリューション
Bright Towardテクノロジーズでは、内側から外側へデザインします。私たちの社内R&Dチームは、リレー内部で使用されるMOSFETとPVGの両方（太陽光発電ジェネレーター）を設計し、コアスイッチング要素を制御しています。この垂直アプローチにより、業界をリードするターンオン時間、負荷電圧定格、低オン抵抗、高負荷電流を提供できます—単なる紙上の話ではなく、実際の生産においてです。
私たちは生産チェーンの90%以上を社内で管理しています。その製造管理の深さは、一貫性、トレーサビリティ、そして大規模な品質を確保します。私たちはこれらのデバイスを何年も大量生産してきたので、価格競争力が非常に高いにもかかわらず、性能を妥協することなく提供できます。
ハイライトされたシリーズと主要仕様:
- 42シリーズ - 最大5Aの連続負荷電流
- 53シリーズ - 最大3,300V負荷電圧
- 74シリーズ - 通常閉じ構成
- ASシリーズ - 12mmのクリープ距離で堅牢な絶縁を実現
- 46シリーズ - ~3 pF出力容量で最小限のフィードスルーを実現
漏れ、静電容量、電流、電圧、または絶縁幾何学の最適化を行っているかどうかにかかわらず、これらのファミリーは実際の設計制約に合わせた明確なオプションを提供します。
Bright TowardのオプトMOSFETリレーの内部
概要
- “SSR”は傘です。
- オプトMOSFETリレーはMOSFET出力SSRで、光絶縁を備えています—低漏れ、低容量、迅速かつ正確な制御に優れ、DC互換性があります（定格内のACも対応）。
- トライアック/サイリスタSSRはAC専用の専門家です—堅牢でコスト効果が高く、主電源負荷に適しており、しばしばゼロクロス動作を持ちます。
- MOSリレー
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SMD-6, 60V/ 5A, オプトMOSリレー
42シリーズはSMD-6で、負荷電圧は60V、負荷電流は最大5アンペアの通常開放ICソリッドステートリレー（1 Form A）です。
SMD6-5, 3300V/ 300mA, オプトMOSリレー (SiC MOSFET)
53シリーズはSMD6-5で、負荷電圧は最大3,300V、負荷電流は0.3アンペアの通常開放ICソリッドステートリレー（1 Form A）です。
SMD4, 400V/ 90mA, オプトMOSリレー, SPST-NC (1 Form B)
74シリーズはSMD-4で、負荷電圧は400V、負荷電流は90mAのICソリッドステートリレーが通常閉じたSPST接点配置（1 Form B）です。
SO-16、3300V/350mA、オプトMOSリレー（SiC MOSFET）
AS53FはSMD6-5で、負荷電圧は最大3,300V、負荷電流は0.3アンペア、通常開放型ICソリッドステートリレー（1 Form A）で、堅牢な絶縁のために12mmのクリープ距離を持っています。
SMD-4、80V/80mA、オプトMOSリレー
46シリーズは80Vの負荷電圧を提供し、最大80mAの負荷電流と約3pFの出力容量を持ち、最小限のフィードスルーを実現します。
