1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為 470 毫安培，導通電阻為 0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝於SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm
AS53F
這是一顆半導體式小型光耦合繼電器。可負載高達3300伏電壓，耐電流350毫安培，採...
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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53
此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高，並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響，因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統，可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產，工廠擁有...
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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動...
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