80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen GehäusetypenLieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Unser hoher Laststrom 1,5 A, Lastspannung 80 V, Leckstrom im ausgeschalteten Zustand < Das 1-nA-IC-Halbleiterrelais der 47-pA-Serie ist speziell für hohen Laststrom in Kombination mit extrem niedrigem Leckstrom ausgelegt. Mit der Integration eines MOSFETs und einer LED als Treiber kann es eine nahezu unbegrenzte Betriebsdauer erreichen. Erhältlich in DIP-4/6/8, SMD-4/6/8 und SOP-4/8. Entworfen, hergestellt und montiert in unserer Fabrik in Hsinchu, Taiwan, mit ISO 9001 und IATF16949 Zertifizierungen.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

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80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen Gehäusetypen

Available in all package types, 80V/ 1.5A, Opto-MOS Relay, Leakage Current< 1nA / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen Gehäusetypen - 80V/1.5A SPST-NO (1 Form A, 2 Form A), Leckstrom< 1nA
  • 80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen Gehäusetypen - 80V/1.5A SPST-NO (1 Form A, 2 Form A), Leckstrom< 1nA
80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen Gehäusetypen
AB47-pA, AA47-pA, AC47-pA, AB47F-pA, AA47F-pA, AC47F-pA, AB47S-pA, AC47S-pA,

Available in all package types, 80V/ 1.5A, Opto-MOS Relay, Leakage Current< 1nA

Unser hoher Laststrom 1,5 A, Lastspannung 80 V, Leckstrom im ausgeschalteten Zustand < Das 1-nA-IC-Halbleiterrelais der 47-pA-Serie ist speziell für hohen Laststrom in Kombination mit extrem niedrigem Leckstrom ausgelegt. Mit der Integration eines MOSFETs und einer LED als Treiber kann es eine nahezu unbegrenzte Betriebsdauer erreichen. Erhältlich in DIP-4/6/8, SMD-4/6/8 und SOP-4/8. Entworfen, hergestellt und montiert in unserer Fabrik in Hsinchu, Taiwan, mit ISO 9001 und IATF16949 Zertifizierungen.

Eigenschaften
  • Miniaturgröße
  • Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
  • geringer Leckstrom
  • Geräuschloser Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
  • Hervorragende Linearität
  • Erfordern geringen Antriebsstrom / Spannung
  • Minimiertes Rauschen
  • Hohe Isolierung
  • Hohe Isolation
Kontaktformular
  • 1 Form A
  • 2 Form A
I/O Durchbruchspannung
  • 3750
  • 5000
Art der Last
  • AC
  • DC
Eingangsspannung (V)
  • 80
Laststrom (A)
  • 1.5
Gehäusetyp
  • SMD-4
  • SMD-6
  • SMD-8
  • DIP-4
  • DIP-6
  • DIP-8
  • SOP-4
  • SOP-8
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 0.13
Anwendung
  • Batteriemanagementsystem (BMS)
  • Elektrofahrzeug
  • Halbleiter-Testplatinen
  • Automatisches Testequipment (ATE)
  • Industrielle Steuerung
  • Test & Messung
  • Sicherheit
  • Telekommunikation
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47-pA Series Datenblatt-80V/1.5A
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1 Form A, 2 Form A, Durchgangsstrom<1nA, Verfügbar in allen Gehäusetypen

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B.T - 80V/1.5A Solid State Relais, Leckstrom< 1nA in allen Gehäusetypen Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.