Was sind Opto-MOSFET-Relais? Wie funktionieren Opto-MOSFET-Relais?
Die resiliente, leistungsstarke und zuverlässige Schalttechnologie von ['Toward']
Was ist ein OPTO-MOSFET-Relais?
Wie OPTO-MOSFET-Relais funktionieren
- Eingangsstrom
- Aktivierung des Photovoltaikgenerators (PVG)
- MOSFET-Gate-Ansteuerung
- Stromfluss
- Für Gleichstromrelais wird ein einzelner MOSFET verwendet.
- Für Wechselstromschaltungen werden typischerweise zwei MOSFETs in einer Antiserienkonfiguration (Source-Anschlüsse verbunden) geschaltet, um in beiden Polaritäten zu leiten.
- Ausschaltprozess
Prozessübersicht:Eingangsstrom → LED-Emission → PVG-Spannungserzeugung → MOSFET-Gatesteuerung → Stromfluss
Hauptvorteile von OPTO-MOSFET-Relais
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Extrem lange Lebensdauer
Ohne mechanische Teile haben OPTO-MOSFET-Relais nahezu unbegrenzte Betriebslebensdauern. Beschränkt nur durch die Degradation der LEDs, können diese Relais oft mehr als 1 Milliarde Zyklen erreichen, im Vergleich zu traditionellen elektromechanischen Relais (EMRs), die typischerweise nur 10 Millionen Zyklen erreichen. Die Lebensdauer von OPTO-MOSFET-Relais ist hauptsächlich durch die Degradation der LED begrenzt. Alternative Designs, wie z.B. kapazitorgetriebene MOSFET-Relais, können die Einschränkung der LEDs umgehen und eine nahezu unbegrenzte Lebensdauer erreichen. -
Geräuschloser Betrieb
Kein hörbares Schaltgeräusch, was sie ideal für medizinische Geräte und Telekommunikationsanwendungen macht. -
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ermöglicht präzise Steuerung für Anwendungen, die schnelle Reaktionszeiten erfordern. -
Starke elektrische Isolation
Vollständige Trennung zwischen Eingang und Ausgang bietet Systemschutz und Sicherheit. -
Kompakte Größe
Unterstützt hochdichte modulare Designs und die Integration in platzbeschränkte Systeme. -
Niedriger Eingangsstrom
Der LED-Antrieb benötigt minimalen Strom, was zu einem niedrigen Energieverbrauch und einem effizienten Betrieb beiträgt.
Warum die OPTO-MOSFET-Relais von ['Toward'] wählen?
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Ultra-Hochspannungsfähigkeit (Bis zu 3300V auf einem einzelnen MOSFET)
Eine der wenigen Marken, die in der Lage sind, Hochspannungs-OPTO-MOSFET-Relais für anspruchsvolle Anwendungen in Elektrofahrzeugen, Energiespeichersystemen und industriellen Testern herzustellen. -
Eigene PVG-Architektur
Die intern entwickelte PVG-Struktur bietet eine überlegene Licht-zu-Spannung-Umwandlung und treibt leistungsstärkere MOSFETs mit schnellerer Reaktionszeit an. -
Ultra-niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on))
Effizientes Design reduziert den Energieverlust und die thermische Abgabe – ideal für Hochfrequenz- oder Hochstromlasten. -
Außergewöhnliche Leckagekontrolle
Bietet stabile, ultra-niedrige Leckstromleistung selbst bei erhöhten Temperaturen – perfekt für präzise Testsysteme. Das neueste Chipdesign von ['TOWARD'] kann Leckströme im Nanoampere-Bereich erreichen. -
Lichtgesteuertes Schalten ohne Kontaktprellen
Optische Steuerung eliminiert mechanische Kontakte vollständig und vermeidet Lichtbogenblitze, Kontaktprellen oder EMI-Probleme – besonders kritisch in Hochspannungs- oder signalempfindlichen Umgebungen. -
Zertifiziert für Automobil- und globale Sicherheitsstandards
Entspricht UL, VDE und RoHS; hergestellt nach AEC-Q101 Automobil-Qualitätsstandards, um Zuverlässigkeit in BMS, OBCs, Ladegeräten und anderen EV-Systemen zu gewährleisten. -
Hohe Fertigungsanteile im eigenen Haus
Von der Wafer-Bearbeitung bis zur Verpackung und Endprüfung wird die gesamte Produktion intern verwaltet, um konsistente Qualität und zuverlässige Lieferzeiten sicherzustellen. -
Flexible Anpassungsoptionen
Maßgeschneiderte Verpackungen, Pin-Layouts und Spannungs-/Strombewertungen sind für anwendungsspezifische Bedürfnisse verfügbar.
Anwendungen von ['Toward']s OPTO-MOSFET-Relais
- BMS, Batteriemodule und OBCs, die eine hochgeschwindigkeits- und sichere Isolation erfordern—AEC-Q101 zertifiziert
- Elektrofahrzeuge (EV) und Ladesysteme
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Dielektrische Tester, Isolationsanalysatoren für Kondensatoren und Validierung von Leistungsmodulen—sicherstellen, dass ein sicheres, bogenfreies Schalten gewährleistet ist
- Hochspannungstest & elektrische Isolation
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Unterstützt hochdichte, hochgeschwindigkeits Signalumschaltung mit minimalem Leckstrom und niedrigem Rds(on)
- Halbleiter-Test- & Messgeräte
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Geräuschloser Betrieb und elektrische Isolation erhöhen die Sicherheit in Diagnose- und Überwachungsgeräten
- Medizinische Geräte
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Signalrouting und Modulumschaltung mit hoher Signalintegrität und Störfestigkeit
- Kommunikations- & Netzwerkmodule
Fazit
- Mos-Relais
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SiC MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Eingangs-/Ausgangsdurchbruchspannung liegt bei 3750V und 5000V. Diese Hochlastspannungs-Opto-SiC-MOSFET-Relais sind AEC-Q101-zertifiziert und werden in den Reinräumen der 1K-Klasse von ['Toward'] hergestellt.
Opto-MOSFET-Relais (60V bis 600V)
Unsere Produktlinie der allgemeinen Opto-MOSFET-Relais umfasst Opto-MOSFET-Relais, die eine Lastspannung von 60V bis 400V unterstützen. Mit Kontaktanordnungen in Form A, Form B und Form C, die sowohl in AC- als auch in DC-Anwendungen anwendbar sind.
Opto-MOSFET-Relais (600V bis 1500V)
Unsere Produktlinie der Hochlastspannungs-Opto-Si-MOSFET-Relais umfasst Opto-MOSFET-Relais, die Spannungen von 600V bis 1500V belasten können. Wir bieten auch Spannungsoptionen über 1500V bis zu 3300V an. Bitte sehen Sie sich die Unterkategorie "SiC-Chip" für Opto-MOSFET-Relais an, die Spannungen von 1800V bis 3300V belasten.
AEC-Q101 zertifizierte Opto-MOSFET-Relais
Eine Reihe unserer Opto-MOSFET-Relais ist nach AEC-Q101 zertifiziert, um Kunden in der Automobilindustrie zufriedenzustellen. Sie umfassen die 45-Q-Serie (60V / 200mA), die 47-Q-Serie (80V / 1,25A), die 30-Q-Serie (400V / 100mA), die 38-Q-Serie (400V / 70mA) und die 58-Serie (1800V / 30mA SiC MOSFET). Alle unsere Opto-MOSFET-Relais werden in unserer Fabrik in Hsinchu mit IATF16949-Automobilzertifizierung hergestellt.