Apakah itu Relay Opto-MOSFET? Bagaimana Relay Opto-MOSFET Berfungsi?
Teknologi Penukaran Resilient, Powerful, dan Reliable milik ['Toward']
Apakah relay opto-mosfet?
Bagaimana Relai OPTO-MOSFET Berfungsi
- Input Semasa
- Pengaktifan Penjana Fotovoltaik (PVG)
- Pemanduan Pintu MOSFET
- Aliran Arus
- Untuk relay DC, satu MOSFET digunakan.
- Untuk penukaran AC, dua MOSFET biasanya disambungkan dalam konfigurasi anti-seri (terminal sumber disambungkan) untuk mengalir dalam kedua-dua polariti.
- Proses Matikan
Ringkasan Proses:Arus Input → Emisi LED → Penjanaan Voltan PVG → Pemacu Pintu MOSFET → Aliran Arus
Kelebihan Utama Relay OPTO-MOSFET
-
Jangka Hayat yang Sangat Panjang
Tanpa bahagian mekanikal, relay OPTO-MOSFET mempunyai jangka hayat operasi yang hampir tidak terhad. Terhad hanya oleh degradasi LED, relay ini sering kali mencapai lebih daripada 1 bilion kitaran, berbanding dengan relay elektromekanikal tradisional (EMR), yang biasanya hanya mencapai 10 juta kitaran. Jangka hayat relay OPTO-MOSFET terutamanya terhad oleh degradasi LED. Reka bentuk alternatif, seperti relay MOSFET yang dipacu kapasitor, boleh mengatasi had LED dan mencapai jangka hayat yang hampir tidak terhad. -
Operasi Senyap
Tiada bunyi suis yang boleh didengar, menjadikannya ideal untuk peralatan perubatan dan aplikasi telekomunikasi. -
Kelajuan Suis yang Pantas
Membolehkan kawalan tepat untuk aplikasi yang memerlukan masa respons yang cepat. -
Pengasingan Elektrik yang Kuat
Pemisahan lengkap antara input dan output memberikan perlindungan dan keselamatan sistem. -
Saiz Kompak
Menyokong reka bentuk modular berketumpatan tinggi dan integrasi ke dalam sistem yang terhad ruangnya. -
Arus Input Rendah
Pemanduan LED memerlukan arus yang minimum, menyumbang kepada penggunaan kuasa yang rendah dan operasi yang cekap.
Mengapa Memilih Relai OPTO-MOSFET ['Toward']?
-
Kemampuan Voltan Ultra-Tinggi (Sehingga 3300V pada satu mosfet)
Salah satu daripada beberapa jenama yang mampu menghasilkan relay OPTO-MOSFET voltan tinggi untuk aplikasi yang menuntut dalam EV, sistem penyimpanan tenaga, dan penguji industri. -
Arsitektur PVG Proprietari
Struktur PVG yang dibangunkan di dalam rumah menawarkan penukaran cahaya kepada voltan yang unggul, memacu MOSFET berkapasiti lebih tinggi dengan masa tindak balas yang lebih cepat. -
Rintangan On yang Sangat Rendah (Rds(on))
Reka bentuk yang cekap mengurangkan kehilangan kuasa dan output terma—ideal untuk frekuensi suis tinggi atau beban arus tinggi. -
Pengawalan Kebocoran yang Luar Biasa
Memberikan prestasi arus kebocoran ultra-rendah yang stabil walaupun pada suhu tinggi—sesuai untuk sistem ujian ketepatan. Reka bentuk cip terbaru 'TOWARD' boleh mencapai tahap kebocoran nanoamps. -
Penukaran Berasaskan Cahaya dengan Tiada Lompatan Kontak
Kawalan optik menghapuskan kontak mekanikal sepenuhnya, mengelakkan kilat busur, lompatan kontak, atau isu EMI—terutama kritikal dalam persekitaran voltan tinggi atau sensitif isyarat. -
Disahkan untuk Standard Keselamatan Automotif dan Global
Mematuhi UL, VDE, dan RoHS; dihasilkan di bawah AEC-Q101 kualiti gred automotif untuk memastikan kebolehpercayaan dalam BMS, OBC, pengecas, dan sistem EV lain. -
Tahap Pengeluaran Dalam Rumah yang Tinggi
Dari pemotongan wafer hingga pembungkusan dan ujian akhir, semua pengeluaran diuruskan secara dalaman untuk memastikan kualiti yang konsisten dan masa penghantaran yang boleh dipercayai. -
Pilihan Penyesuaian yang Fleksibel
Pakej khusus, susun atur pin, dan penarafan voltan/arus tersedia untuk keperluan aplikasi tertentu.
Aplikasi Rel OPTO-MOSFET ['Toward']
-
BMS, modul bateri, dan OBC yang memerlukan pengasingan berkelajuan tinggi dan selamat—disahkan AEC-Q101
- Kenderaan Elektrik (EV) dan Sistem Pengecasan
-
Penguji dielektrik, penganalisis penebat kapasitor, dan pengesahan modul kuasa—menjamin suis yang selamat dan bebas arka
- Ujian Voltan Tinggi & Penebat Elektrik
-
Menyokong suis isyarat berketumpatan tinggi dan berkelajuan tinggi dengan kebocoran minimum dan Rds(on) yang rendah
- Peralatan Ujian & Pengukuran Semikonduktor
-
Operasi senyap dan pengasingan elektrik meningkatkan keselamatan dalam peralatan diagnostik dan pemantauan
- Peranti Perubatan
-
Penghalaan isyarat dan suis modul dengan integriti isyarat yang tinggi dan ketahanan terhadap bunyi
- Modul Komunikasi & Rangkaian
Kesimpulan
- Relai Mos
-
Relay SiC MOSFET (1500V hingga 6600V)
Dengan menerapkan MOSFET Karbida Silikon ke dalam rele yang dicopel optik kami, voltan beban ditingkatkan hingga 3300V, dengan 6600V dalam pembangunan. Voltan pemecahan Input/Output adalah dalam pilihan 3750V dan 5000V. Relay Opto SiC-MOSFET voltan beban tinggi ini adalah disahkan AEC-Q101, dihasilkan di bilik bersih gred 1K kilang ['Toward'].
Relai Opto-MOSFET (60V hingga 600V)
Barisan produk Relai Opto-MOSFET Tujuan Umum kami termasuk Relai Opto-MOSFET yang boleh memuatkan voltan dari 60V hingga 400V. Dengan susunan kontak Form A, Form B dan Form C yang boleh digunakan dalam aplikasi AC dan DC.
Relai Opto-MOSFET (600V hingga 1500V)
Barisan produk Relay Opto-Si MOSFET Voltan Beban Tinggi kami termasuk Relay Opto-MOSFET yang boleh memuatkan voltan dari 600V hingga 1500V. Kami juga menawarkan pilihan voltan beban melebihi 1500V sehingga 3300V, sila lihat sub-kategori "Chip SiC" untuk Relay Opto-MOSFET yang memuatkan voltan dari 1800V hingga 3300V.
Relay Opto-MOSFET Bertauliah AEC-Q101
Siri Opto-MOSFET Relai kami telah mendapat sijil AEC-Q101 untuk memenuhi keperluan pelanggan dalam industri automotif. Mereka termasuk Siri 45-Q (60V / 200mA), Siri 47-Q (80V / 1.25A), Siri 30-Q (400V / 100mA), Siri 38-Q (400V / 70mA) dan Siri 58 (1800V / 30mA SiC MOSFET). Semua Relai Opto-MOSFET kami dikeluarkan di kilang kami di Hsinchu dengan pensijilan automotif IATF16949.