1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6 | 高品质1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6制造商 | 拓緯實業股份有限公司

拓緯是专业制造1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6及提供1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6服务的优良厂商(成立于西元1988年)超过30年的继电器研发及生产经验,除深耕半导体测试市场外,车用电子、射频讯号、军用市场等领域等.

1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6

DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/拓緯是继电器的专业制造商。主要产品有:磁簧继电器、光耦合继电器、射频微机电开关、碳化矽光耦合继电器、固态继电器。

1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6 - DIP8-6,1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51

DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压,470毫安培电流,导通电阻为0.6 Ohms. 碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40 °C to 125 ° C ( -40°F to 257°F)以及各种恶劣环境下正常运作。

 

拓緯的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。

产品特性
  • 小尺寸
  • 长宽: 8.8mm*6.4mm
  • 高: 3.4mm
  • 内部使用碳化矽MOSFET
  • 无机械接点造就超长寿命
  • 无机械接点造就无声运作
  • 线性度表现佳
  • 低失真
  • 低耗电
  • 低杂讯
  • 高隔离
  • 高绝缘性
接点形式
  • 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
  • 3750
  • 5000
交流/直流
  • AC
  • DC
耐电压(V)
  • 1200
耐电流(A)
  • 0.47
封装形式
  • DIP8-6
导通电组(Ω)
  • 0.6
产品应用
  • 电动车电池管里系统(BMS)
  • 充电桩
  • 绝缘检测、高压检测
  • 半导体测试介面板
  • 半导体测试机(ATE)
  • 工业控制
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此光耦合继电器耐电压达1200伏,耐电流为470 毫安培,导通电阻为0.6 Ohms,使用SMD6-5的封装,是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压,470毫安培电流,导通电阻为0.6...

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A接点常开型的光耦合继电器,耐电压达1200伏,耐电流600mA,导通电阻为0.6...

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此光耦合继电器能负载高达1700伏的电压,耐电流350毫安培,导通电阻为0.6...

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能负载高达1700伏的AA52F,是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器,耐电流为350毫安培,导通电阻为0.06...

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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压,耐电流达300mA,为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压,耐电流330毫安培,使用SMD6-5封装形式,增加了爬电距离,增大表面绝缘面积,增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压,使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
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此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压,耐电流300毫安培,封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关,可以一直开关动作直到LED光衰,寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力,并确保其产品能于-40...

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采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器 - 特殊封装,3000V/500mA SPST-NO(1 Form A)
采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器
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此产品可负载高达3300伏的电压,耐电流达500mA,为常开型的碳化矽半导体式光耦合继电器。...

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这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成,因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点,内部设计使用LED驱动SiC...

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AM51-1200V/470mA规格书
AM51-1200V/470mA规格书

1 Form A,SiC MOSFET, DIP8-6封装-9.8mm*6.4mm*3.4mm

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拓緯 1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6服务简介

拓緯實業股份有限公司是一家拥有超过30年经验的专业1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6生产制造商. 我们成立于西元1988年, 在继电器研发与生产领域上,拓緯提供专业高品质的1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6制造服务,拓緯以追求为客户提供高品质的产品与服务为目标。