Реле SiC MOSFET (от 1500 В до 6600 В) - BT - производитель твердотельных реле, герконовых реле и МЭМС-переключателей.

Благодаря применению полевых МОП-транзисторов из карбида кремния в наших реле с оптической связью напряжение нагрузки повышается до 3300 В, а в разработке находится 6600 В. Входное/выходное напряжение пробоя на выбор 3750В и 5000В. Эти реле Opto SiC-MOSFET с высоким напряжением нагрузки имеют сертификат AEC-Q101 и производятся в чистых помещениях класса 1K на заводе Bright Toward. BT является тайваньским производителем реле SiC MOSFET (от 1500 В до 6600 В) и поставщиком реле SiC MOSFET (от 1500 В до 6600 В). Имея более чем 30-летний опыт производства реле, компания Bright Toward специализируется на производстве различных видов реле. с 1988 года.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

Реле SiC MOSFET (от 1500 до 6600 В)

SiC MOSFET с оптической связью. Напряжение нагрузки реле от 1500 до 3300 В и выше./ Bright Toward Industrial Co., Ltd является производителем твердотельных реле, герконовых реле и МЭМС-переключателей.

SiC MOSFET с оптической связью. Напряжение нагрузки реле от 1500 до 3300 В и выше.
SiC MOSFET с оптической связью. Напряжение нагрузки реле от 1500 до 3300 В и выше.

Реле SiC MOSFET (от 1500 до 6600 В)

Благодаря применению полевых МОП-транзисторов из карбида кремния в наших реле с оптической связью напряжение нагрузки повышается до 3300 В, а в разработке находится 6600 В. Входное/выходное напряжение пробоя на выбор 3750В и 5000В. Эти реле Opto SiC-MOSFET с высоким напряжением нагрузки имеют сертификат AEC-Q101 и производятся в чистых помещениях класса 1K на заводе Bright Toward.

All Conditions
Search

Click and select your search query

Результат 1 - 12 из 15
imagenameФорма обратной связиНапряжение нагрузки (В)Ток нагрузки (А)СкачатьДействие
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) AA51 Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

1200

0.47

Твердотельное реле 1200 В/470 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) AA51F Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

1200

0.47

Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET) AM51 Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)

1 Form A

1200

0.47

Твердотельное реле DIP8-6 1200 В/470 мА (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) AM51F Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)

1 Form A

1200

0.47

Твердотельное реле 1200 В/470 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) AA52 Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

1700

0.35

Твердотельное реле 1700 В/350 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) AA52F Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

1700

0.35

Твердотельное реле 1700 В/350 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET) AA53 Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

3300

0.3

Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET) AA53F Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)

1 Form A

3300

0.3

Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD6-5 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET) AM53 Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)

1 Form A

3300

0.3

Твердотельное реле 3300 В/300 мА/DIP8-6 (SiC MOSFET)
Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET) AM53F Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)

1 Form A

3300

0.3

Твердотельное реле 3300 В/300 мА/SMD8-6 (SiC MOSFET)
Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле AN53 Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле

1 Form A

3000

0.5

Уникальный пакет для увеличения расстояния утечки, 3000 В/500 мА, твердотельное реле
Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET) AS53F Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)

1 Form A

3300

0.35

Твердотельное реле 3300 В/350 мА/SO16 (SiC MOSFET)
Результат 1 - 12 из 15
Обзор продукта

Скачать обзор продукта

Позвоните нам +886-2-8227-6000

или по электронной почте service@relay.com.tw

Подробнее

BT — производитель реле SiC MOSFET (от 1500 до 6600 В)

Находится на Тайване с 1988 года.Bright Toward Industrial Co., LTD.является поставщиком и производителем реле. Основная продукция, включая реле Opto-MOSFET, реле Opto-SiC MOSFET, твердотельные реле, герконовые реле и радиочастотные МЭМС-переключатели.

BT поставляет реле для полупроводниковой и автомобильной промышленности мира более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с OKITA Works, базирующейся в Японии; Menlo Microsystems, базирующаяся в Калифорнии; JEL Systems, базирующаяся в Японии, и Teledyne Relays and Coax Switches, базирующаяся в Калифорнии. В основном обслуживают тестирование полупроводников, ATE, BMS (системы управления батареями), промышленное оборудование и электромобили.

BT предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года. Благодаря передовым технологиям и 30-летнему опыту BT обеспечивает удовлетворение требований каждого клиента.