Switch RF MEMS DP3T Duplo de 80 Gbps (acoplado DC)
MM5622-01NBX
O switch RF MEMS de loopback diferencial de alta velocidade MM5622-01NBX é projetado para roteamento de sinal ultra-rápido e de alta largura de banda nos ambientes avançados de teste e medição de hoje. Suportando taxas de dados de até 80 Gbps e operando em uma ampla faixa de DC a 20 GHz, este switch MEMS DP3T duplo oferece uma solução compacta e confiável para validação de PCIe Gen 5/6, SerDes e integridade de sinal digital em aplicações de computação de alto desempenho.
Principais Benefícios
Construído com a tecnologia Ideal Switch® da Menlo Micro, o MM5622-01NBX oferece baixa perda de inserção (tão baixa quanto 2,2 dB a 20 GHz) e excelente isolamento RF, garantindo caminhos de sinal limpos para medições críticas. Com suporte para mais de 3 bilhões de ciclos de comutação, ele fornece a durabilidade e o desempenho necessários em equipamentos de teste automatizados (ATE), sistemas de teste final de semicondutores e configurações de verificação de loopback.
Integração de Sistemas
Este interruptor diferencial MEMS acoplado em DC integra o driver e a bomba de carga dentro de um fator de forma compacto de Sistema em Pacote (SiP), minimizando o espaço na PCB e simplificando o gerenciamento de energia. A compatibilidade com interfaces SPI e GPIO permite uma integração perfeita em plataformas de teste programáveis e escaláveis de alta velocidade, suportando uma variedade de arquiteturas de roteamento.
Recursos
- Tecnologia Ideal Switch® fornecida pela Menlo Micro
- Largura de banda de DC a 20 GHz
- Configuração Dual DP3T com Loopback
- Baixa perda de inserção: 2,2 dB @ 20 GHz
- Alta isolação: até 57 dB @ 16 GHz
- Alta confiabilidade: mais de 3 bilhões de ciclos de comutação
- Controle via interfaces SPI ou GPIO
- Pacote LGA compacto de 8,2 x 8,2 mm
Forma de Contato
- Differential, Dual DP3T, Normally Open, Reflective actuator
Frequência
- DC to 20 GHz
Resistência Ligada (Ω)
- 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
- 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
Perda de Inserção [Diferencial]
- 2.2 dB @ 20 GHz (HS1 para HS2)
- 1.6 dB @ 16 GHz (HS1 para HS2)
- 2,1 dB @ 16 GHz (MS1 para MS2)
- 0,7 dB @ 16 GHz (HS1 para MS1)
- 0,9 dB @ 16 GHz (HS2 para MS2)
Perda de Retorno [Diferencial]
- 20 dB @ 20 GHz (HS1 para HS2)
- 28 dB @ 16 GHz (HS1 para HS2)
- 23 dB (MS1 para MS2)
- 19 dB (HS1 para MS1)
- 18 dB (HS2 para MS2)
Isolamento [Diferencial]
- 53 dB @ 20 GHz (HS1 para HS2)
- 57 dB @ 16 GHz (HS1 para HS2)
- 50 dB @ 16 GHz (MS1 para MS2)
- 45 dB @ 16 GHz (HS1 para MS1)
- 51 dB @ 16 GHz (HS2 para MS2)
Proteção ESD
- 150 V (RF pins)
- 2000 V (Control/Power pins)
- 500 V (VPP pin)
Aplicação
- Teste de Componentes Digitais de Alta Velocidade
- Teste de Módulos Óptico-Elétricos
- Roteamento de Sinais de Alta Velocidade
- Placas de Interface de Dispositivos ATE
- Teste de Módulos Óptico-Elétricos
- Matrizes de Interruptores Diferenciais
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