Pacchetto unico per migliorare la distanza di strisciamento, 3000V/500mA, Relè a stato solido
AN53
Package unique to improve creepage distance, 3000V/ 500mA, Opto-MOS Relay
Questo relè a stato solido in miniatura al carburo di silicio con IC da 3000V/500mA, con un'imballaggio unico, migliora significativamente la distanza di strisciamento per l'Attrezzatura di Test Automatica (ATE), i dispositivi alimentati a batteria e l'attrezzatura di test elettronica a uso generale. Siamo i primi nel settore a utilizzare il carburo di silicio per i circuiti integrati MOSFET. Siamo andati un passo avanti e abbiamo confezionato chip SiC MOSFET in pacchetti simili a relè a lamina, rendendo più facile per i clienti sostituire relè a lamina instabili o relè al mercurio.
Caratteristiche
- Relè Opto-SiC MOSFET
- Dimensioni ridotte
- MOSFET al carburo di silicio
- Lunga durata (senza contatti meccanici)
- Operazioni silenziose (senza contatti meccanici)
- Grande linearità delle prestazioni
- Richiedono bassa corrente/tensione di pilotaggio
- Rumore minimizzato
- Alta isolamento
- Alta isolazione
Forma di Contatto
- 1 Form A
Tensione di Rottura I/O
- 7000
Tipo di Carico
- AC
- DC
Tensione di carico (V)
- 3000
Corrente di carico (A)
- 0.5
Tipo di confezione
- AN
Resistenza accesa (Ω)
- 3.4
Applicazione
- Sistema di gestione della batteria (BMS)
- Moduli di rilevamento dell'isolamento
- Veicolo elettrico
- Stazioni di ricarica
- Meccanismo di protezione ad alta tensione
- Attrezzatura automatica di test (ATE)
- Controllo industriale
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Scheda tecnica AN53-3000V/500mA
1 Form A, Tipo di package unico per migliorare la distanza di creepage
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