Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC)Fornitore | Produttore di relè e interruttori di alta qualità proveniente da Taiwan | Toward Technologies, Inc.

L'interruttore RF MEMS a loopback differenziale ad alta velocità MM5622-01NBX è progettato per il routing di segnali ultra-veloci e ad alta larghezza di banda negli ambienti avanzati di test e misurazione di oggi. Supportando velocità di dati fino a 80 Gbps e operando su una vasta larghezza di banda da DC a 20 GHz, questo switch MEMS dual DP3T offre una soluzione compatta e affidabile per la convalida di PCIe Gen 5/6, SerDes e integrità del segnale digitale nelle applicazioni di calcolo ad alte prestazioni. Toward Technologies è un produttore di interruttori RF MEMS di alta qualità, relè Opto-MOS, relè Opto-MOSFET, relè Reed e relè a stato solido di Taiwan. Con oltre 30 anni di esperienza nella produzione di relè, Toward è specializzata nella produzione di diversi tipi di relè. dal 1988

Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC)

Interruttore di Loopback Differenziale Accoppiato in DC da 80 Gbps (accoppiato in DC) / Toward Technologies, Inc. è un produttore di relè a stato solido, relè a reed e interruttori MEMS.

Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC) - Interruttore di Loopback Differenziale Accoppiato in DC da 80 Gbps (accoppiato in DC)
  • Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC) - Interruttore di Loopback Differenziale Accoppiato in DC da 80 Gbps (accoppiato in DC)
Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC)
MM5622-01NBX

L'interruttore RF MEMS a loopback differenziale ad alta velocità MM5622-01NBX è progettato per il routing di segnali ultra-veloci e ad alta larghezza di banda negli ambienti avanzati di test e misurazione di oggi. Supportando velocità di dati fino a 80 Gbps e operando su una vasta larghezza di banda da DC a 20 GHz, questo switch MEMS dual DP3T offre una soluzione compatta e affidabile per la convalida di PCIe Gen 5/6, SerDes e integrità del segnale digitale nelle applicazioni di calcolo ad alte prestazioni.

Vantaggi Chiave

Basato sulla tecnologia Ideal Switch® di Menlo Micro, l'MM5622-01NBX offre una bassa perdita di inserzione (fino a 2,2 dB a 20 GHz) e un'eccellente isolamento RF, garantendo percorsi di segnale puliti per misurazioni critiche. Con supporto per oltre 3 miliardi di cicli di commutazione, fornisce la durabilità e le prestazioni necessarie nelle attrezzature di test automatizzate (ATE), nei sistemi di test finale dei semiconduttori e nelle configurazioni di verifica del loopback.

Integrazione di Sistema

Questo interruttore MEMS differenziale accoppiato in DC integra il driver e la pompa di carica all'interno di un fattore di forma compatto System-in-Package (SiP), riducendo al minimo lo spazio sulla PCB e semplificando la gestione dell'alimentazione. La compatibilità con le interfacce SPI e GPIO consente un'integrazione senza soluzione di continuità in piattaforme di test programmabili e scalabili ad alta velocità, supportando una varietà di architetture di instradamento.

Caratteristiche
  • Tecnologia Ideal Switch® fornita da Menlo Micro
  • Larghezza di banda da DC a 20 GHz
  • Configurazione Dual DP3T con Loopback
  • Bassa perdita di inserzione: 2.2 dB @ 20 GHz
  • Alta isolamento: fino a 57 dB @ 16 GHz
  • Alta affidabilità: oltre 3 miliardi di cicli di commutazione
  • Controllo tramite interfacce SPI o GPIO
  • Pacchetto LGA compatto 8.2 x 8.2 mm
Modulo di Contatto
  • Differential, Dual DP3T, Normally Open, Reflective actuator
Frequenza
  • DC to 20 GHz
Resistenza On (Ω)
  • 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
  • 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
Perdita di Inserzione [Differenziale]
  • 2.2 dB @ 20 GHz (HS1 a HS2)
  • 1.6 dB @ 16 GHz (HS1 a HS2)
  • 2.1 dB @ 16 GHz (MS1 a MS2)
  • 0.7 dB @ 16 GHz (HS1 a MS1)
  • 0.9 dB @ 16 GHz (HS2 a MS2)
Perdita di Ritorno [Differenziale]
  • 20 dB @ 20 GHz (HS1 a HS2)
  • 28 dB @ 16 GHz (HS1 a HS2)
  • 23 dB (MS1 a MS2)
  • 19 dB (HS1 a MS1)
  • 18 dB (HS2 a MS2)
Isolamento [Differenziale]
  • 53 dB @ 20 GHz (HS1 a HS2)
  • 57 dB @ 16 GHz (HS1 a HS2)
  • 50 dB @ 16 GHz (MS1 a MS2)
  • 45 dB @ 16 GHz (HS1 a MS1)
  • 51 dB @ 16 GHz (HS2 a MS2)
Protezione ESD
  • 150 V (RF pins)
  • 2000 V (Control/Power pins)
  • 500 V (VPP pin)
Applicazione
  • Test di componenti digitali ad alta velocità
  • Test di moduli ottico-elettrici
  • Routing di segnali ad alta velocità
  • Schede di interfaccia per dispositivi ATE
  • Test di moduli ottico-elettrici
  • Matrici di interruttori differenziali
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Scheda dati MM5622-01NBX
Scheda dati MM5622-01NBX

Relè RF MEMS Dual DP3T a 80 Gbps

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Toward Technologies - Interruttore RF MEMS Dual DP3T da 80 Gbps (accoppiato in DC) Produttore

Situata a Taiwan dal 1988, Toward Technologies, Inc. è un fornitore e produttore di relè. I principali prodotti includono relè Opto-MOSFET, relè Opto-SiC MOSFET, relè a stato solido, relè Reed e interruttori RF MEMS.

Toward Technologies fornisce relè alle industrie dei semiconduttori e automobilistiche del mondo da oltre tre decenni e ha partnership a lungo termine con OKITA Works con sede in Giappone; Menlo Microsystems con sede in California; JEL Systems con sede in Giappone e Teledyne Relays e Coax Switches con sede in California. Serve principalmente le industrie del testing dei semiconduttori, ATE, BMS (Sistemi di gestione della batteria), macchinari industriali e veicoli elettrici.

Toward Technologies offre ai clienti relè Opto-MOSFET e relè Opto-SiC MOSFET di alta qualità dal 1988, sia con tecnologia avanzata che con 37 anni di esperienza, Toward Technologies garantisce che le esigenze di ogni cliente siano soddisfatte.