MM5627 20 GHz बैंडविड्थ में साफ और स्थिर DC-कपल्ड डिफरेंशियल सिग्नल स्विचिंग प्रदान करता है, जबकि यह 80 Gbps तक के डेटा दरों का समर्थन करता है। प्रत्येक डिफरेंशियल लेन का स्वतंत्र नियंत्रण लचीला रूटिंग, स्विचिंग और लूपबैक कॉन्फ़िगरेशन की अनुमति देता है, 128 संभावित स्विच राज्यों के बीच, जिससे इंजीनियर उच्च घनत्व परीक्षण प्लेटफार्मों के लिए जटिल मान्यता मैट्रिक्स बनाने में सक्षम होते हैं।
 
कम इनसर्शन लॉस, तेज़ स्विचिंग क्षमता, और तीन अरब चक्रों से अधिक स्विचिंग सहनशीलता के साथ, MM5627 मांग वाले उच्च गति के वातावरण में लगातार और विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। DC-कपल्ड डिज़ाइन इंजीनियरों को PCIe Gen5/Gen6, SerDes, और अन्य उच्च गति डिजिटल इंटरफेस को मान्य करते समय बाहरी कैपेसिटर्स या कंडीशनिंग घटकों का उपयोग करके सिग्नल चैनलों को अनुकूलित करने के लिए अतिरिक्त लचीलापन भी प्रदान करता है।

MM5627 एक कॉम्पैक्ट सिस्टम-इन-पैकेज (SiP) आर्किटेक्चर का उपयोग करता है जो स्विच ड्राइवर और चार्ज पंप को एकल मॉड्यूल में एकीकृत करता है, जिससे उच्च गति बोर्ड डिज़ाइन को सरल बनाया जा रहा है जबकि समग्र प्रणाली की जटिलता को कम किया जा रहा है। नियंत्रण SPI इंटरफेस के माध्यम से प्रदान किया जाता है, जो होस्ट प्रोसेसर्स और स्वचालित परीक्षण नियंत्रकों के साथ निर्बाध एकीकरण को सक्षम बनाता है।
 
यह आर्किटेक्चर कई चैनलों में स्केलेबल सिग्नल रूटिंग और लूपबैक कार्यक्षमता का समर्थन करता है, जिससे MM5627 स्वचालित परीक्षण उपकरण (ATE) में समानांतर परीक्षण के लिए उपयुक्त हो जाता है। कॉम्पैक्ट डिज़ाइन PCB फुटप्रिंट को कम करने में मदद करता है जबकि उच्च घनत्व वाले सेमीकंडक्टर परीक्षण प्रणालियों और सिग्नल-इंटीग्रिटी मान्यता प्लेटफार्मों के लिए आवश्यक प्रदर्शन को बनाए रखता है।

विशेषताएँ

• DC से 20 GHz रेंज
• डुअल DP3T कॉन्फ़िगरेशन के साथ लूपबैक
• कम इनsertion हानि: 2.3 dB @ 20 GHz
• एकीकृत चार्ज पंप और ड्राइवर बाहरी बायसिंग और ड्राइवर सर्किटरी की आवश्यकता को समाप्त करता है
• कम, मध्यम, और उच्च डेटा दर सिग्नल रूटिंग के लिए पूरी तरह से नियंत्रित पोर्ट।
• उच्च विश्वसनीयता: 3 बिलियन से अधिक स्विचिंग संचालन
• 8.2*8.2 मिमी LGA पैकेज
• 128 संभावित स्विच नियंत्रण स्थितियाँ

संपर्क फॉर्म

• Differential, Dual DP3T

फ़्रीक्वेंसी

• DC to 20 GHz

प्रतिरोध (Ω) पर

• 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
• 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω

इंसर्शन लॉस [डिफरेंशियल]

• 2.3 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
• 1.5 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
• 2.3 dB @ 16 GHz (MS1 से MS2)
• 0.9 dB @ 16 GHz (HS1 से MS1)
• 1.3 dB @ 16 GHz (HS2 से MS2)
• 2.3 dB @ 16 GHz (HS1 से MS2)
• 1.9 dB @ 16 GHz (MS1 से HS2)

रिटर्न लॉस [डिफरेंशियल]

• 22 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
• 27 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
• 22 dB (MS1 से MS2)
• 45 dB (HS1 से MS1)
• 29 dB (HS2 से MS2)
• 20 dB (HS1 से MS2)
• 21 dB (MS1 से HS2)

आइसोलेशन [डिफरेंशियल]

• 48 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
• 52 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
• 36 dB @ 16 GHz (MS1 से MS2)
• 41 dB @ 16 GHz (HS1 से MS1)
• 43 dB @ 16 GHz (HS2 से MS2)
• 44 dB @ 16 GHz (HS1 से MS2)
• 64 dB @ 16 GHz (MS1 से HS2)

ईएसडी सुरक्षा

• 150 V (RF pins)
• 2000 V (Control/Power pins)
• 500 V (VPP pin)

आवेदन

• उच्च गति डेटा डिजिटल घटक परीक्षण
• ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल मॉड्यूल परीक्षण
• उच्च गति सिग्नल रूटिंग
• ATE डिवाइस इंटरफेस बोर्ड
• ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल मॉड्यूल परीक्षण
• डिफरेंशियल स्विच मैट्रिक्स

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