80 Gbps डुअल DP3T RF MEMS स्विच (DC कपल्ड)
MM5622-01NBX
MM5622-01NBX उच्च गति विभेदक लूपबैक RF MEMS स्विच को आज के उन्नत परीक्षण और माप वातावरण में अल्ट्रा-फास्ट, उच्च-बैंडविड्थ सिग्नल रूटिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है। 80 Gbps तक के डेटा दरों का समर्थन करते हुए और 20 GHz बैंडविड्थ के व्यापक DC में कार्य करते हुए, यह डुअल DP3T MEMS स्विच उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों में PCIe जनरल 5/6, SerDes, और डिजिटल सिग्नल इंटीग्रिटी मान्यता के लिए एक कॉम्पैक्ट और विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है।
मुख्य लाभ
Menlo Micro की Ideal Switch® तकनीक पर आधारित, MM5622-01NBX कम इनसर्शन लॉस (20 GHz पर 2.2 dB तक) और उत्कृष्ट RF आइसोलेशन प्रदान करता है, जो महत्वपूर्ण माप के लिए साफ सिग्नल पथ सुनिश्चित करता है। 3 अरब से अधिक स्विचिंग चक्रों का समर्थन करते हुए, यह स्वचालित परीक्षण उपकरण (ATE), सेमीकंडक्टर अंतिम परीक्षण प्रणालियों और लूपबैक सत्यापन सेटअप में आवश्यक स्थायित्व और प्रदर्शन प्रदान करता है।
सिस्टम एकीकरण
यह DC-कपल्ड डिफरेंशियल MEMS स्विच ड्राइवर और चार्ज पंप को एक कॉम्पैक्ट सिस्टम-इन-पैकेज (SiP) फॉर्म फैक्टर में एकीकृत करता है, PCB स्थान को न्यूनतम करता है और पावर प्रबंधन को सरल बनाता है। SPI और GPIO इंटरफेस के साथ संगतता प्रोग्रामेबल, स्केलेबल हाई-स्पीड टेस्ट प्लेटफार्मों में निर्बाध एकीकरण की अनुमति देती है, जो विभिन्न रूटिंग आर्किटेक्चर का समर्थन करती है।
विशेषताएँ
- मेनलो माइक्रो द्वारा प्रदान की गई आदर्श स्विच® टेक्नोलॉजी
- DC से 20 GHz बैंडविड्थ
- डुअल DP3T कॉन्फ़िगरेशन के साथ लूपबैक
- कम इनसर्शन लॉस: 2.2 dB @ 20 GHz
- उच्च पृथक्करण: 57 dB तक @ 16 GHz
- उच्च विश्वसनीयता: 3 अरब से अधिक स्विचिंग चक्र
- SPI या GPIO इंटरफेस के माध्यम से नियंत्रण
- संक्षिप्त 8.2 x 8.2 मिमी LGA पैकेज
संपर्क रूप
- Differential, Dual DP3T, Normally Open, Reflective actuator
आवृत्ति
- DC to 20 GHz
ऑन रेजिस्टेंस (Ω)
- 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
- 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
इंसर्शन लॉस [डिफरेंशियल]
- 2.2 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
- 1.6 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
- 2.1 dB @ 16 GHz (MS1 से MS2)
- 0.7 dB @ 16 GHz (HS1 से MS1)
- 0.9 dB @ 16 GHz (HS2 से MS2)
रिटर्न लॉस [डिफरेंशियल]
- 20 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
- 28 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
- 23 dB (MS1 से MS2)
- 19 dB (HS1 से MS1)
- 18 dB (HS2 से MS2)
आइसोलेशन [डिफरेंशियल]
- 53 dB @ 20 GHz (HS1 से HS2)
- 57 dB @ 16 GHz (HS1 से HS2)
- 50 dB @ 16 GHz (MS1 से MS2)
- 45 dB @ 16 GHz (HS1 से MS1)
- 51 dB @ 16 GHz (HS2 से MS2)
ईएसडी सुरक्षा
- 150 V (RF pins)
- 2000 V (Control/Power pins)
- 500 V (VPP pin)
अनुप्रयोग
- उच्च गति डेटा डिजिटल घटक परीक्षण
- ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल मॉड्यूल परीक्षण
- उच्च गति सिग्नल रूटिंग
- ATE डिवाइस इंटरफेस बोर्ड
- ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल मॉड्यूल परीक्षण
- डिफरेंशियल स्विच मैट्रिक्स
- डाउनलोड
