Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC)Fournisseur | Fabricant de relais et d'interrupteurs de haute qualité de Taïwan | Bright Toward Industrial

Le commutateur RF MEMS à boucle de retour différentielle haute vitesse MM5622-01NBX est conçu pour le routage de signaux ultra-rapides et à large bande dans les environnements avancés de test et de mesure d'aujourd'hui. Supportant des débits de données allant jusqu'à 80 Gbps et fonctionnant sur une large bande de 20 GHz en courant continu, ce commutateur MEMS DP3T double offre une solution compacte et fiable pour la validation PCIe Gen 5/6, SerDes et l'intégrité des signaux numériques dans les applications informatiques haute performance. B.T est un fabricant de commutateurs RF MEMS de haute qualité, de relais Opto-MOS, de relais Opto-MOSFET, de relais Reed et de relais à état solide basé à Taïwan. Avec plus de 30 ans d'expérience dans la fabrication de relais, B.T est spécialisé dans la fabrication de différents types de relais depuis 1988.

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Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC)

Commutateur de boucle de retour différentiel couplé en CC de 80 Gbps (couplé en CC) / Bright Toward Industrial est un fabricant de relais à état solide, de relais Reed et de commutateurs MEMS.

Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC) - Commutateur de boucle de retour différentiel couplé en CC de 80 Gbps (couplé en CC)
  • Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC) - Commutateur de boucle de retour différentiel couplé en CC de 80 Gbps (couplé en CC)
Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC)
MM5622-01NBX

Le commutateur RF MEMS à boucle de retour différentielle haute vitesse MM5622-01NBX est conçu pour le routage de signaux ultra-rapides et à large bande dans les environnements avancés de test et de mesure d'aujourd'hui. Supportant des débits de données allant jusqu'à 80 Gbps et fonctionnant sur une large bande de 20 GHz en courant continu, ce commutateur MEMS DP3T double offre une solution compacte et fiable pour la validation PCIe Gen 5/6, SerDes et l'intégrité des signaux numériques dans les applications informatiques haute performance.

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Avantages clés

Construit sur la technologie Ideal Switch® de Menlo Micro, le MM5622-01NBX offre une faible perte d'insertion (aussi basse que 2,2 dB à 20 GHz) et une excellente isolation RF, garantissant des chemins de signal propres pour des mesures critiques. Avec un support de plus de 3 milliards de cycles de commutation, il fournit la durabilité et les performances nécessaires dans les équipements de test automatisés (ATE), les systèmes de test final de semi-conducteurs et les configurations de vérification en boucle.

Intégration de systèmes

Ce commutateur différentiel MEMS à couplage DC intègre le pilote et la pompe de charge dans un format compact de Système-en-Emballage (SiP), minimisant l'espace sur le PCB et simplifiant la gestion de l'alimentation. La compatibilité avec les interfaces SPI et GPIO permet une intégration transparente dans des plateformes de test programmables et évolutives à haute vitesse, prenant en charge une variété d'architectures de routage.

Caractéristiques
  • Technologie Ideal Switch® fournie par Menlo Micro
  • Bande passante de DC à 20 GHz
  • Configuration Dual DP3T avec Loopback
  • Faible perte d'insertion : 2,2 dB @ 20 GHz
  • Haute isolation : jusqu'à 57 dB @ 16 GHz
  • Haute fiabilité : plus de 3 milliards de cycles de commutation
  • Contrôle via interfaces SPI ou GPIO
  • Boîtier LGA compact de 8,2 x 8,2 mm
Forme de contact
  • Differential, Dual DP3T, Normally Open, Reflective actuator
Fréquence
  • DC to 20 GHz
Résistance à l'état actif (Ω)
  • 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
  • 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
Perte d'insertion [Différentiel]
  • 2.2 dB @ 20 GHz (HS1 à HS2)
  • 1.6 dB @ 16 GHz (HS1 à HS2)
  • 2.1 dB @ 16 GHz (MS1 à MS2)
  • 0.7 dB @ 16 GHz (HS1 à MS1)
  • 0.9 dB @ 16 GHz (HS2 à MS2)
Perte de Retour [Différentielle]
  • 20 dB @ 20 GHz (HS1 à HS2)
  • 28 dB @ 16 GHz (HS1 à HS2)
  • 23 dB (MS1 à MS2)
  • 19 dB (HS1 à MS1)
  • 18 dB (HS2 à MS2)
Isolation [Différentielle]
  • 53 dB @ 20 GHz (HS1 à HS2)
  • 57 dB @ 16 GHz (HS1 à HS2)
  • 50 dB @ 16 GHz (MS1 à MS2)
  • 45 dB @ 16 GHz (HS1 à MS1)
  • 51 dB @ 16 GHz (HS2 à MS2)
Protection ESD
  • 150 V (RF pins)
  • 2000 V (Control/Power pins)
  • 500 V (VPP pin)
Application
  • Tests de composants numériques de données à haute vitesse
  • Tests de modules opto-électriques
  • Routage de signaux à haute vitesse
  • Cartes d'interface de dispositifs ATE
  • Tests de modules opto-électriques
  • Matrices de commutateurs différentiels
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Fiche technique MM5622-01NBX
Fiche technique MM5622-01NBX

Relais RF MEMS DP3T double à 80 Gbps

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B.T - Fabricant Commutateur RF MEMS DP3T double de 80 Gbps (couplé en CC)

Située à Taïwan depuis 1988, Bright Toward Industrial est un fournisseur et fabricant de relais. Produits principaux, y compris les relais Opto-MOSFET, les relais Opto-SiC MOSFET, les relais à état solide, les relais à lames et les commutateurs RF MEMS.

B.T fournit des relais aux industries mondiales des semi-conducteurs et de l'automobile depuis plus de trois décennies et a des partenariats à long terme avec OKITA Works basé au Japon ; Menlo Microsystems basé en Californie ; JEL Systems basé au Japon et Teledyne Relays et Coax Switches basé en Californie. Sert principalement les industries des tests de semi-conducteurs, ATE, BMS (systèmes de gestion de batterie), machines industrielles et véhicules électriques.

B.T offre aux clients des relais Opto-MOSFET et Opto-SiC MOSFET de haute qualité depuis 1988. Grâce à une technologie avancée et 37 ans d'expérience, B.T s'assure que les exigences de chaque client sont satisfaites.