16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)Lieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dies ist ein Hochleistungs-SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 5,8*5,8*1,9 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 16 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der M4AG ist für einen verbesserten ESD-Schutz bis zu 2KV HBM ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

service@relay.com.tw

Kontaktieren Sie uns

16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)

RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 16 GHz SP4T / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 16 GHz SP4T
  • 16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 16 GHz SP4T
16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)
M4AG

Dies ist ein Hochleistungs-SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 5,8*5,8*1,9 mm). Jeder Kanal ist in der Lage, eine Vorwärtsleistung von mehr als 9W zu liefern. Dieser RF MEMS-Schalter bietet eine extrem geringe Einfügedämpfung und eine überlegene Linearität von DC bis 16 GHz mit mehr als 3 Milliarden Ein-/Ausschaltvorgängen. Der M4AG ist für einen verbesserten ESD-Schutz bis zu 2KV HBM ausgelegt. Es ist ideal in Anwendungen, in denen Linearität, Einfügungsverlust und ESD-Schutz wichtige Parameter sind.

Eigenschaften
  • DC bis 16 GHz
  • SP4T
  • Hohe Linearität, IP3 > 95 dBm
  • Niedriger Einschaltverlust: 3 dB @ 16 GHz
  • Kapazität im ausgeschalteten Zustand bei 15fF
  • Hohe Zuverlässigkeit > 3 Milliarden Schaltvorgänge
  • 8 Mikrosekunden Einschaltzeit
  • 2000V ESD (HBM)
Kontaktformular
  • SP4T (MEMS Switch)
Frequenz
  • 16 GHz
Leistungsfähigkeit
  • 9W (CW) 100W (Pulsed)
Eingangsspannung (V)
  • 150
Laststrom (A)
  • 0.5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 1
Einfügedämpfung
  • 3.0dB@ 16GHz
  • 1.0dB@ 6GHz
Rückflussdämpfung
  • 10dB@ 16GHz
  • 15dB@ 6GHz
Isolierung
  • 20dB@ 16GHz
  • 30dB@ 6GHz
ESD-Schutz
  • 2,000V
Leistung bei 10 Gbps (differentieller Signalpfad)

Augenhöhe: 607 mV / Augenbreite: 94,6 ps / Jitter 7,9593 ps

Leistung bei 10 Gbps (Loopback-Pfad)

Augenhöhe: 606 mV / Augenbreite: 94,8 ps / Jitter: 7,8224 ps

Leistung bei 20 Gbps (differentieller Signalpfad)

Augenhöhe: 457 mV / Augenbreite: 43,46 ps / Jitter 9,5976 ps

Leistung bei 20 Gbps (Loopback-Pfad)

Augenhöhe: 457 mV / Augenbreite: 43,46 ps / Jitter: 9,5978 ps

Leistung bei 32 Gbps (Differentieller Signalpfad)

Augenhöhe: 135 mV / Augenbreite: 21,97 ps / Jitter: 12,636 ps

Leistung bei 32 Gbps (Loopback-Pfad)

Augenhöhe: 140 mV / Augenbreite: 21,97 ps / Jitter: 12,137 ps

Anwendung
  • Geschaltete Filterbänke und abstimmbare Filter
  • Hochleistungs-RF-Front-Ends
  • Schaltmatrizen mit geringem Verlust
  • RF EM Relaisersatz
  • Antennentuning
  • Antennenstrahlausrichtung
  • Digitale Schritt-Dämpfer
Verwandte Produkte
8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 8 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM5140

Dieser Hochleistungs-SP4T-RF-MEMS-Schalter ermöglicht äußerst zuverlässige Schalter mit einer...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter - DC bis 18 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter
MM5120

Dies ist ein hochfrequenter (DC bis 18 GHz) SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter. Es handelt...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
5V bis 90V Booster-IC - 5V bis 90V Booster-IC
5V bis 90V Booster-IC
MD05-90

Dies ist ein Booster-IC mit einer 5V-Eingangsspannung; er liefert eine 90V-Hochspannungstreiberkraft....

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 8 GHz DPDT
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback
M2CG

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch - 40Gbps DPDT Differentieller Schalter mit integriertem Treiber
40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch
MM5600

Dies ist ein DPDT-Schalter für das Umschalten von Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalen....

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais - 64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais mit Loopback
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais
MM5620

Der MM5620 ist ein spezialisierter Relais, der schnelles und hochwertiges Signal-Switching...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 26 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM5130

Dies ist ein Hochleistungs-SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter. Unsere innovative Technologie...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
Gleichstrom bis 18 GHz
Einpoliger Vierfachwurf
RF-MEMS-Schalter - Gleichstrom bis 18 GHz, SP4T
RF-MEMS-Schalter
Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter
4AX

Dieser SP4T RF MEMS-Schalter ist so konzipiert, dass er hohe Frequenzen mit geringem Einfügedämpfung...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul - DC bis 18 GHz, SP6T, SP8T, SP16T RF MEMS Schaltmodul
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul
MIXO

Dies ist ein anpassbares Mehrpol-Mehrweg-RF-MEMS-Schaltmodul mit einem Frequenzbereich von DC bis 18 GHz....

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 3 GHz, RF MEMS Schalter SPST*6
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM3100

Dies ist ein Hochleistungs-(25W pro Kanal) Sechs-Kanal-SPST-Mikromechanischer Schalter, der in einem...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter - 1A SPST*6, Sechs Kanäle MEMS-Schalter
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter
MM1200

Dies ist ein 6-Kanal SPST-Mikro-MEMS-Relais, das für Leistungs- und Signalumschaltanwendungen...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais - 1A SPST 6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais
6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais
MM1205

Dieses äußerst vielseitige 6-Kanal-SPST-Hochfrequenz-Signalrelais, MM1205, ist für das Umschalten...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
Herunterladen
M4AG Datenblatt
M4AG Datenblatt

SP4T, RF-MEMS-Schalter (ESD-optimiert)

Herunterladen

B.T - 16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.