80 Gbps Dual DP3T RF MEMS-Schalter (DC gekoppelt)
MM5622-01NBX
Der MM5622-01NBX Hochgeschwindigkeits-Differential-Loopback-RF-MEMS-Schalter ist für ultra-schnelles, hochbandbreitiges Signalrouting in den heutigen fortschrittlichen Test- und Messumgebungen konzipiert. Unterstützung von Datenraten von bis zu 80 Gbps und Betrieb über ein breites DC- bis 20-GHz-Bandbreite, bietet dieser duale DP3T MEMS-Schalter eine kompakte und zuverlässige Lösung für PCIe Gen 5/6, SerDes und die Validierung der digitalen Signalintegrität in Hochleistungsrechenanwendungen.
Hauptvorteile
MM5622-01NBX bietet einen niedrigen Einfügedämpfungswert (so niedrig wie 2,2 dB bei 20 GHz) und hervorragende RF-Isolation, die saubere Signalwege für kritische Messungen gewährleistet. Mit Unterstützung für über 3 Milliarden Schaltzyklen bietet es die Haltbarkeit und Leistung, die in automatisierten Testgeräten (ATE), Endtestsystemen für Halbleiter und Loopback-Verifikationsaufbauten erforderlich sind.
Systemintegration
Dieser DC-gekoppelte differentielle MEMS-Schalter integriert den Treiber und die Ladepumpe in einem kompakten System-in-Package (SiP) Formfaktor, minimiert den PCB-Platz und vereinfacht das Energiemanagement. Die Kompatibilität mit sowohl SPI- als auch GPIO-Schnittstellen ermöglicht eine nahtlose Integration in programmierbare, skalierbare Hochgeschwindigkeitstestplattformen, die eine Vielzahl von Routing-Architekturen unterstützen.
Eigenschaften
- DC bis 20 GHz Bandbreite
- Dual DP3T-Konfiguration mit Loopback
- Niedrige Einfügedämpfung: 2.2 dB @ 20 GHz
- Hohe Isolation: bis zu 57 dB @ 16 GHz
- Hohe Zuverlässigkeit: über 3 Milliarden Schaltzyklen
- Steuerung über SPI- oder GPIO-Schnittstellen
- Kompaktes 8,2 x 8,2 mm LGA-Gehäuse
Kontaktform
- Differential, Dual DP3T, Normally Open, Reflective actuator
Frequenz
- DC to 20 GHz
Widerstand (Ω)
- 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
- 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
Einfügedämpfung [Differenziell]
- 2.2 dB @ 20 GHz (HS1 zu HS2)
- 1,6 dB @ 16 GHz (HS1 zu HS2)
- 2.1 dB @ 16 GHz (MS1 zu MS2)
- 0,7 dB @ 16 GHz (HS1 zu MS1)
- 0.9 dB @ 16 GHz (HS2 zu MS2)
Rückflussdämpfung [Differential]
- 20 dB @ 20 GHz (HS1 zu HS2)
- 28 dB @ 16 GHz (HS1 zu HS2)
- 23 dB (MS1 zu MS2)
- 19 dB (HS1 zu MS1)
- 18 dB (HS2 zu MS2)
Isolation [Differential]
- 53 dB @ 20 GHz (HS1 zu HS2)
- 57 dB @ 16 GHz (HS1 zu HS2)
- 50 dB @ 16 GHz (MS1 zu MS2)
- 45 dB @ 16 GHz (HS1 zu MS1)
- 51 dB @ 16 GHz (HS2 zu MS2)
ESD-Schutz
- 150 V (RF pins)
- 2000 V (Control/Power pins)
- 500 V (VPP pin)
Anwendung
- Hochgeschwindigkeits-Daten-Digital-Komponententest
- Optisch-Elektrische Modulprüfung
- Hochgeschwindigkeits-Signalrouting
- ATE-Geräte-Schnittstellenkarten
- Optisch-Elektrische Modulprüfung
- Differenzielle Schaltermatrizen
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