40 Gbit/s DPDT RF MEMS-SwitchLieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Dies ist ein DPDT-Schalter für das Umschalten von Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalen. Der MM5600 basiert auf der Ideal Switch-Technologie von Menlo Micro und kann für digitale Signalanwendungen mit bis zu 40 Gbps oder für Hochleistungs-RF-Anwendungen mit bis zu 20 GHz betrieben werden. Der MM5600 hat einen geringen Einfügungsverlust, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, interne ESD-Dioden und kann mit mehr als drei Milliarden Schaltzyklen betrieben werden.
 
Der integrierte Treiber des MM5600 wird über eine seriell-parallele Schnittstelle gesteuert, die die Hochspannungsgatterleitungen der Schalter antreibt. Das Design bietet auch zwei separate Einzelendanschlüsse und eine erhebliche Größenreduzierung um 90% im Vergleich zu vergleichbaren EM-Relais-Lösungen. Für den Betrieb des internen Schalttreibers ist eine externe +5 VDC-Logikversorgung und eine Hochspannungs-+89 VDC-Biasquelle erforderlich.
 
'BRIGHT TOWARD' fungiert als technischer Support und Distributor von Menlo Micro in Asien. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

service@relay.com.tw

Kontaktieren Sie uns

40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch

40Gbps DPDT Differentieller Schalter mit integriertem Treiber / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch - 40Gbps DPDT Differentieller Schalter mit integriertem Treiber
  • 40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch - 40Gbps DPDT Differentieller Schalter mit integriertem Treiber
40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch
MM5600

Dies ist ein DPDT-Schalter für das Umschalten von Hochgeschwindigkeits-Differenzsignalen. Der MM5600 basiert auf der Ideal Switch-Technologie von Menlo Micro und kann für digitale Signalanwendungen mit bis zu 40 Gbps oder für Hochleistungs-RF-Anwendungen mit bis zu 20 GHz betrieben werden. Der MM5600 hat einen geringen Einfügungsverlust, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, interne ESD-Dioden und kann mit mehr als drei Milliarden Schaltzyklen betrieben werden.

 

Der integrierte Treiber des MM5600 wird über eine seriell-parallele Schnittstelle gesteuert, die die Hochspannungsgatterleitungen der Schalter antreibt. Das Design bietet auch zwei separate Einzelendanschlüsse und eine erhebliche Größenreduzierung um 90% im Vergleich zu vergleichbaren EM-Relais-Lösungen. Für den Betrieb des internen Schalttreibers ist eine externe +5 VDC-Logikversorgung und eine Hochspannungs-+89 VDC-Biasquelle erforderlich.

 

'BRIGHT TOWARD' fungiert als technischer Support und Distributor von Menlo Micro in Asien. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

Eigenschaften
  • Ideal Switch® Technologie von Menlo Micro
  • DC bis 20 GHz Bereich, bis zu 40 Gbps
  • DPDT
  • Einfügedämpfung (Einzeln-Modus) 1,3 dB @ 10 GHz
  • Linearität IP3 77 dBm
  • Isolation (Einzeln-Modus) 24 dB @ 10 GHz
  • Hohe Zuverlässigkeit: Mehr als 3 Milliarden Schaltvorgänge
  • ESD-Schutz bis zu 500V
Kontaktformular
  • DPDT (MEMS Switch)
Frequenz
  • DC to 20 GHz range, up to 40 Gbps
Lastspannung (V)
  • 150
Laststrom (A)
  • 0.1
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 1.2
Einfügedämpfung
  • 1.3dB@ 10GHz [Single-Ended mode]
Rückflussdämpfung
  • 11dB @ 10GHz [Single-Ended mode]
Isolierung
  • 24dB @10GHz [Single-Ended mode]
ESD-Schutz
  • 500V
Leistung des MM5600 bei 32 Gbps

Dieses Augendiagramm zeigt die Leistung des MM5600 bei 32 Gbps

Leistung des MM5600 bei 40 Gbps

Dieses Augendiagramm zeigt die Leistung des MM5600 bei 40 Gbps

Leistung des MM5600 bei 32 Gbps (nicht deembedded)

Dieses Augendiagramm zeigt die Leistung des MM5600 bei 32 Gbps (RF-Steckverbinder und RF-Spuren sind nicht deembedded)

Kontaktwiderstand des MM5600 über 10 Millionen Betriebszyklen bei 85°C

Das folgende Diagramm zeigt die Variation des Kontaktwiderstands des MM5600 über 10 Millionen Betriebszyklen bei 85°C

Kontaktwiderstand des MM5600 über 10 Millionen Betriebszyklen bei 25°C

Das folgende Diagramm zeigt die Variation des Kontaktwiderstands des MM5600 über 10 Millionen Betriebszyklen bei 25°C

Phasenrauschenleistung des MM5600

Extrem niedriges Phasenrauschen und Jitter: -140dBc@1 MHz Offset; <20fs Jitter/ Gemessen am R&S Signalanalysator mit Phasenrauschoption

MM5600: Hochgeschwindigkeits-Dual-DPDT-Loopback-Testboard

Diese Schaltung verwendet zwei MM5600-Differenzschalter, die in einer Dual-DPDT-Konfiguration mit Loopback konfiguriert sind. Diese Einrichtung unterstützt Datenraten von bis zu 40 Gbps, um den Anforderungen von PCIe Gen. 5 gerecht zu werden. Das Platinendesign ist für eine verlustarme RF-Performance optimiert.

Anwendung
  • Differentielles High-Speed-Schalten
  • ATE-Geräteschnittstellenkarten
  • Schnittstellen für High-Speed-Computerperipheriegeräte
Verwandte Produkte
8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 8 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM5140

Dieser Hochleistungs-SP4T-RF-MEMS-Schalter ermöglicht äußerst zuverlässige Schalter mit einer...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter - DC bis 18 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter
MM5120

Dies ist ein hochfrequenter (DC bis 18 GHz) SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter. Es handelt...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
5V bis 90V Booster-IC - 5V bis 90V Booster-IC
5V bis 90V Booster-IC
MD05-90

Dies ist ein Booster-IC mit einer 5V-Eingangsspannung; er liefert eine 90V-Hochspannungstreiberkraft....

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 16 GHz SP4T
16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)
M4AG

Dies ist ein Hochleistungs-SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 5,8*5,8*1,9...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback - RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) 8 GHz DPDT
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback
M2CG

Dies ist ein Hochleistungs-DPDT-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter (Länge*Breite*Höhe: 7,5*4,4*2,0...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais - 64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais mit Loopback
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais
MM5620

Der MM5620 ist ein spezialisierter Relais, der schnelles und hochwertiges Signal-Switching...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 26 GHz, RF MEMS Schalter SP4T
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM5130

Dies ist ein Hochleistungs-SP4T-Mikromechanischer RF-MEMS-Schalter. Unsere innovative Technologie...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
Gleichstrom bis 18 GHz
Einpoliger Vierfachwurf
RF-MEMS-Schalter - DC bis 18GHz, SP4T
RF MEMS-Schalter
Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter
4AX

Dieser SP4T RF MEMS-Schalter ist so konzipiert, dass er hohe Frequenzen mit geringem Einfügedämpfung...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul - DC bis 18 GHz, SP6T, SP8T, SP16T RF MEMS Schaltmodul
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul
MIXO

Dies ist ein anpassbares Mehrpol-Mehrweg-RF-MEMS-Schaltmodul mit einem Frequenzbereich von DC bis 18 GHz....

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter - DC bis 3 GHz, RF MEMS Schalter SPST*6
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter
MM3100

Dies ist ein Hochleistungs-(25W pro Kanal) Sechs-Kanal-SPST-Mikromechanischer Schalter, der in einem...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter - 1A SPST*6, Sechs Kanäle MEMS-Schalter
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter
MM1200

Dies ist ein 6-Kanal SPST-Mikro-MEMS-Relais, das für Leistungs- und Signalumschaltanwendungen...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais - 1A SPST 6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais
6-Kanal SPST Hochfrequenz-Signalrelais
MM1205

Dieses äußerst vielseitige 6-Kanal-SPST-Hochfrequenz-Signalrelais, MM1205, ist für das Umschalten...

Einzelheiten Zur Liste hinzufügen
Herunterladen
MM5600 Datenblatt
MM5600 Datenblatt

40-Gbit/s-DPDT-RF-MEMS-Switch

Herunterladen

B.T - 40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.