1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)Lieferant | Hersteller von hochwertigen Relais und Schaltern aus Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Diese Lastspannung bis zu 1700V, Laststrom bei 350mA DIP6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais ist für Hochspannungsanwendungen wie Isolationsdetektion in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Durch die Integration eines Siliziumkarbid-MOSFETs und einer LED als Treiber kann es eine nahezu unbegrenzte Lebensdauer erreichen und dabei hohen Spannungen in volatilen Umgebungen standhalten. Mit einem SMD6-5-Gehäuse wird der Kriechweg verbessert, um die Isolierung zu erhöhen. Das SiC-IC-Halbleiterrelais AM51F wird in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen entwickelt, hergestellt und getestet.B.T ist ein hochwertiger RF MEMS-Schalter, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais-Hersteller aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Relaisfertigung ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert. Seit 1988

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1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)

DIP6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR RELAIS SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
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1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)
AA52

DIP6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Diese Lastspannung bis zu 1700V, Laststrom bei 350mA DIP6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais ist für Hochspannungsanwendungen wie Isolationsdetektion in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Durch die Integration eines Siliziumkarbid-MOSFETs und einer LED als Treiber kann es eine nahezu unbegrenzte Lebensdauer erreichen und dabei hohen Spannungen in volatilen Umgebungen standhalten. Mit einem SMD6-5-Gehäuse wird der Kriechweg verbessert, um die Isolierung zu erhöhen. Das SiC-IC-Halbleiterrelais AM51F wird in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen entwickelt, hergestellt und getestet.

Eigenschaften
  • Opto-SiC-MOSFET-Relais
  • Kleinformat
  • Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
  • Siliziumkarbid-MOSFET
  • Langlebigkeit (ohne mechanische Kontakte)
  • Geräuschlose Operationen (ohne mechanische Kontakte)
  • Hervorragende Linearität der Leistung
  • Erfordern geringen Ansteuerungsstrom/-spannung
  • Minimiertes Rauschen
  • Hohe Isolierung
  • Hohe Isolation
Kontaktformular
  • 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
  • 3750
  • 5000
Art der Last
  • AC
  • DC
Lastspannung (V)
  • 1700
Laststrom (A)
  • 0.35
Gehäusetyp
  • DIP6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
  • 2.2
Anwendung
  • Batteriemanagementsystem (BMS)
  • Isolationsdetektionsmodule
  • Elektrofahrzeug
  • Ladestationen
  • Hochspannungsschutzmechanismus
  • Automatisches Testequipment (ATE)
  • Industrielle Steuerung
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B.T - 1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) Hersteller

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.