RF MEMS-Schalter - B.T - Ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Unsere RF-MEMS-Schalter bieten hohe Leistung, geringen Verlust, hohe Linearität, geringen Strombedarf, hohe Zuverlässigkeit (3 Milliarden Schaltvorgänge oder mehr), Luftspaltisolierung, schnelles Schalten und winzige Größe (2,5 mm * 2,5 mm). Diese Schalter werden von Menlo Micro's fortschrittlicher Technologie unterstützt, die die fortschrittliche Materialwissenschaft von General Electric und die ausgereifte Through-Glass-Via-Technologie von Corning umfasst. Dies ermöglicht robuste und hochzuverlässige Schalter mit einer Vorwärtsleistung von mehr als 25 W. Ideale Lösung zur Ersetzung großer RF-elektromechanischer Relais sowie RF-Mikrowellen-Halbleiterschalter in Anwendungen, in denen Linearität und Einfügungsverlust kritische Parameter sind. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Produkte unten. Wenn Sie Fragen haben, kontaktieren Sie uns bitte. B.T ist ein hochwertiger Hersteller von RF MEMS-Schaltern, Opto-MOS-Relais, Opto-MOSFET-Relais, Reed-Relais und Solid-State-Relais aus Taiwan. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung in der Herstellung von Relais ist Bright Toward auf die Herstellung verschiedener Arten von Relais spezialisiert.

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RF MEMS-Schalter

Unsere RF MEMS-Schalter sind mehrkanalige mikromechanische Schalter. / Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Diese Schalter werden von Menlo Micro unterstützt, zusammen mit der fortschrittlichen Materialwissenschaft von General Electric in Kombination mit Corning's glasbasierter Technologie.
Diese Schalter werden von Menlo Micro unterstützt, zusammen mit der fortschrittlichen Materialwissenschaft von General Electric in Kombination mit Corning's glasbasierter Technologie.

RF MEMS-Schalter

Unsere RF MEMS-Schalter sind mehrkanalige mikromechanische Schalter.

Unsere RF-MEMS-Schalter bieten hohe Leistung, geringen Verlust, hohe Linearität, geringen Strombedarf, hohe Zuverlässigkeit (3 Milliarden Schaltvorgänge oder mehr), Luftspaltisolierung, schnelles Schalten und winzige Größe (2,5 mm * 2,5 mm). Diese Schalter werden von Menlo Micro's fortschrittlicher Technologie unterstützt, die die fortschrittliche Materialwissenschaft von General Electric und die ausgereifte Through-Glass-Via-Technologie von Corning umfasst. Dies ermöglicht robuste und hochzuverlässige Schalter mit einer Vorwärtsleistung von mehr als 25 W. Ideale Lösung zur Ersetzung großer RF-elektromechanischer Relais sowie RF-Mikrowellen-Halbleiterschalter in Anwendungen, in denen Linearität und Einfügungsverlust kritische Parameter sind.
 
Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Produkte unten. Wenn Sie Fragen haben, kontaktieren Sie uns bitte.

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8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter MM5140 8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter

SP4T (MEMS Switch)

150

0.5
8 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter MM5120 DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter

SP4T (MEMS Switch)

150

0.5
DC bis 18 GHz, SP4T RF MEMS Schalter
5V bis 90V Booster-IC MD05-90 5V bis 90V Booster-IC
5V bis 90V Booster-IC
16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) M4AG 16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)

SP4T (MEMS Switch)

150

0.5
16 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert)
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback M2CG 8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback

DPDT (MEMS Switch)

150

0.5
8 GHz DPDT Mikromechanischer RF MEMS-Schalter (ESD-optimiert) mit Loopback
40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch MM5600 40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch

DPDT (MEMS Switch)

150

0.1
40 Gbit/s DPDT RF MEMS-Switch
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais MM5620 64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais

Differential, Dual DP3T (*For more details, please see the below diagram.)
64 Gbps Dual DP3T RF MEMS Relais
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter MM5130 26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter

SP4T (MEMS Switch)

150

0.5
26 GHz SP4T mikromechanischer RF MEMS Schalter
Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter 4AX Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter

SP4T (MEMS Switch)

150

0.5
Gleichstrom bis 18 GHz Einpoliger Vierfachwurf RF-MEMS-Schalter
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul MIXO DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul

SP6T, SP8T, SP12T

150

0.5
DC bis 18 GHz, SP*T RF-Schaltmodul
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter MM3100 3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter

SPST*6 (MEMS Switch)

100

1
3 GHz SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF MEMS Schalter
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter MM1200 1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter

SPST*6 (MEMS Switch)

13

1
1Amps SPST (6 Kanäle) mikromechanischer RF-MEMS-Schalter
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B.T - Ein Hersteller von RF-MEMS-Schaltern

Mit Sitz in Taiwan seit 1988 ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Relaislieferant und -hersteller. Hauptprodukte sind Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.