مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDesالمورد | مصنع ريليهات ومفاتيح عالية الجودة من تايوان | Toward Technologies, Inc.

MM5627 هو مفتاح RF MEMS تفاضلي بسرعة 80 جيجابت في الثانية مصمم لتوجيه الإشارات المتقدمة والتحقق منها في الأنظمة الرقمية الحديثة عالية السرعة. تم تصميمه لدعم واجهات الجيل التالي مثل PCIe Gen5 و PCIe Gen6 وروابط SerDes عالية السرعة، مما يمكّن من التبديل الموثوق والعودة للإشارات التفاضلية المطلوبة في بيئات اختبار أشباه الموصلات المتطورة.
 
يوفر MM5627 تكامل إشارة ممتاز مع فقدان إدخال منخفض، وأداء تبديل سريع، وعرض نطاق واسع يبلغ 20 جيجاهرتز. يمكن التحكم في كل مسار تفاضلي بشكل مستقل، مما يتيح توجيه الإشارة المرن وتكوينات العودة مع ما يصل إلى 128 حالة تبديل قابلة للبرمجة، مما يجعله مثالياً لهياكل الاختبار متعددة القنوات المعقدة.
 
كحل تبديل متصل DC، يتيح MM5627 للمهندسين تنفيذ مكونات معالجة الإشارة الخارجية المصممة وفقًا لمتطلبات قنواتهم. تدعم هذه المرونة التحكم المحسن في المقاومة وضبط الإشارة في التطبيقات المت demanding مثل التحقق من معالجات الذكاء الاصطناعي، واختبار الرقمية عالية السرعة، وتطوير أشباه الموصلات من الجيل التالي. Toward Technologies هي شركة مصنعة لمفاتيح RF MEMS عالية الجودة، ومرحلات Opto-MOS، ومرحلات Opto-MOSFET، ومرحلات Reed، ومرحلات الحالة الصلبة من تايوان. مع أكثر من 30 عامًا من خبرة تصنيع المرحلات، تتخصص Toward في تصنيع أنواع مختلفة من المرحلات. منذ عام 1988

support@toward.com

اتصل بنا

مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDes

مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية / Toward Technologies, Inc. هي شركة مصنعة للريلايات الحالة الصلبة، والريلايات الشريطية، ومفاتيح MEMS.

مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDes - مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية
  • مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDes - مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية
مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDes
MM5627

MM5627 هو مفتاح RF MEMS تفاضلي بسرعة 80 جيجابت في الثانية مصمم لتوجيه الإشارات المتقدمة والتحقق منها في الأنظمة الرقمية الحديثة عالية السرعة. تم تصميمه لدعم واجهات الجيل التالي مثل PCIe Gen5 و PCIe Gen6 وروابط SerDes عالية السرعة، مما يمكّن من التبديل الموثوق والعودة للإشارات التفاضلية المطلوبة في بيئات اختبار أشباه الموصلات المتطورة.

 

يوفر MM5627 تكامل إشارة ممتاز مع فقدان إدخال منخفض، وأداء تبديل سريع، وعرض نطاق واسع يبلغ 20 جيجاهرتز. يمكن التحكم في كل مسار تفاضلي بشكل مستقل، مما يتيح توجيه الإشارة المرن وتكوينات العودة مع ما يصل إلى 128 حالة تبديل قابلة للبرمجة، مما يجعله مثالياً لهياكل الاختبار متعددة القنوات المعقدة.

 

كحل تبديل متصل DC، يتيح MM5627 للمهندسين تنفيذ مكونات معالجة الإشارة الخارجية المصممة وفقًا لمتطلبات قنواتهم. تدعم هذه المرونة التحكم المحسن في المقاومة وضبط الإشارة في التطبيقات المت demanding مثل التحقق من معالجات الذكاء الاصطناعي، واختبار الرقمية عالية السرعة، وتطوير أشباه الموصلات من الجيل التالي.

أضف إلى القائمة
مطلوب الان
الفوائد الرئيسية

يوفر MM5627 تبديل إشارة تفاضلية نظيفة ومستقرة مرتبطة بالتيار المستمر عبر نطاق ترددي واسع يبلغ 20 جيجاهرتز مع دعم معدلات بيانات تصل إلى 80 جيجابت في الثانية. يتيح التحكم المستقل في كل مسار تفاضلي توجيهًا مرنًا، وتبديلًا، وتكوينات حلقة عبر 128 حالة تبديل ممكنة، مما يسمح للمهندسين بإنشاء مصفوفات تحقق معقدة لمنصات الاختبار عالية الكثافة.
 
مع فقدان إدخال منخفض، وقدرة على التبديل السريع، وتحمل تبديل يتجاوز ثلاثة مليارات دورة، يضمن MM5627 أداءً متسقًا وموثوقًا في البيئات عالية السرعة التي تتطلب ذلك. كما يوفر التصميم المتصل بالتيار المستمر مرونة إضافية للمهندسين لتحسين قنوات الإشارة باستخدام المكثفات الخارجية أو مكونات التكييف عند التحقق من PCIe Gen5/Gen6، SerDes، وواجهات رقمية عالية السرعة أخرى.

تكامل النظام

يستخدم MM5627 بنية نظام في حزمة (SiP) مدمجة تدمج محرك التبديل ومضخة الشحن في وحدة واحدة، مما يبسط تصميم اللوحات عالية السرعة مع تقليل تعقيد النظام بشكل عام. يتم توفير التحكم من خلال واجهة SPI، مما يتيح التكامل السلس مع المعالجات المضيفة ووحدات التحكم في الاختبار الآلي.
 
تدعم هذه الهندسة توجيه الإشارات القابل للتوسع ووظيفة العودة عبر قنوات متعددة، مما يجعل MM5627 مناسبًا تمامًا للاختبار المتوازي في معدات الاختبار الآلي (ATE). يساعد التصميم المدمج في تقليل مساحة PCB مع الحفاظ على الأداء المطلوب لأنظمة اختبار أشباه الموصلات عالية الكثافة ومنصات التحقق من سلامة الإشارة.

الميزات
  • نطاق DC إلى 20 جيجاهرتز
  • تكوين DP3T مزدوج مع Loopback
  • فقدان إدخال منخفض: 2.3 ديسيبل @ 20 جيجاهرتز
  • مضخة شحن متكاملة وسائق تلغي الحاجة إلى تهيئة خارجية ودائرة سائق
  • منافذ قابلة للتحكم بالكامل لتوجيه إشارات بمعدلات بيانات منخفضة ومتوسطة وعالية.
  • موثوقية عالية: أكثر من 3 مليارات عملية تبديل
  • حزمة LGA بحجم 8.2*8.2 مم
  • 128 حالة تحكم ممكنة للمفتاح
شكل الاتصال
  • Differential, Dual DP3T
التردد
  • DC to 20 GHz
على المقاومة (Ω)
  • 1.7 Ω (HS to MS/LS, MS to LS), up to 4.0 Ω
  • 3.4 Ω (HS to HS, MS to MS, LS to LS), up to 8.0 Ω
فقدان الإدخال [تفاضلي]
  • 2.3 ديسيبل @ 20 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 1.5 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 2.3 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (MS1 إلى MS2)
  • 0.9 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى MS1)
  • 1.3 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS2 إلى MS2)
  • 2.3 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى MS2)
  • 1.9 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (MS1 إلى HS2)
فقدان العودة [اختلاف]
  • 22 ديسيبل @ 20 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 27 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 22 ديسيبل (MS1 إلى MS2)
  • 45 ديسيبل (HS1 إلى MS1)
  • 29 ديسيبل (HS2 إلى MS2)
  • 20 ديسيبل (HS1 إلى MS2)
  • 21 ديسيبل (MS1 إلى HS2)
العزل [اختلاف]
  • 48 ديسيبل @ 20 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 52 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى HS2)
  • 36 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (MS1 إلى MS2)
  • 41 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى MS1)
  • 43 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS2 إلى MS2)
  • 44 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (HS1 إلى MS2)
  • 64 ديسيبل @ 16 جيجاهرتز (MS1 إلى HS2)
حماية ESD
  • 150 V (RF pins)
  • 2000 V (Control/Power pins)
  • 500 V (VPP pin)
تطبيق
  • اختبار مكونات البيانات الرقمية عالية السرعة
  • اختبار الوحدات البصرية الكهربائية
  • توجيه الإشارات عالية السرعة
  • لوحات واجهة أجهزة ATE
  • اختبار الوحدات البصرية الكهربائية
  • مصفوفات المفاتيح التفاضلية
المنتجات ذات الصلة
مفتاح RF MEMS مزدوج DP3T بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل مباشرة) - مفتاح حلقة عكسية تفاضلية متصلة مباشرة بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل مباشرة)
مفتاح RF MEMS مزدوج DP3T بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل مباشرة)
MM5622-01NBX

تم تصميم مفتاح RF MEMS MM5622-01NBX عالي السرعة للتبديل التفاضلي...

تفاصيل أضف إلى القائمة
ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية - ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية مع ربط الحلقة
ريلي MEMS RF DP3T ثنائي بسرعة 64 جيجابت في الثانية
MM5620

MM5620 هو مرحل متخصص يدعم تبديل الإشارات بسرعة وجودة...

تفاصيل أضف إلى القائمة
مفتاح RF MEMS مزدوج DP3T بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل AC) - مفتاح DP3T ذو الحلقة العكسية التفاضلية المتصلة AC بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل AC)
مفتاح RF MEMS مزدوج DP3T بسرعة 80 جيجابت في الثانية (متصل AC)
MM5625

MM5625 هو مفتاح حلقة تفاضلية عالية السرعة مصمم للجيل...

تفاصيل أضف إلى القائمة
تحميل

Toward Technologies - مفتاح RF MEMS DP3T بفارق 80 جيجابت في الثانية | مفتاح اختبار PCIe Gen6 و SerDes المُصنِّع

تقع في تايوان منذ عام 1988، Toward Technologies, Inc. هي مورد ومصنع للمرحلات. تشمل المنتجات الرئيسية، مرحلات Opto-MOSFET، مرحلات Opto-SiC MOSFET، مرحلات الحالة الصلبة، مرحلات Reed، ومفاتيح RF MEMS.

تقوم Toward Technologies بتوريد المرحلات لصناعات أشباه الموصلات والسيارات في العالم لأكثر من ثلاثة عقود ولديها شراكات طويلة الأمد مع OKITA Works ومقرها اليابان؛ Menlo Microsystems ومقرها كاليفورنيا؛ JEL Systems ومقرها اليابان وTeledyne Relays وCoax Switches ومقرها كاليفورنيا. تخدم بشكل رئيسي صناعات اختبار أشباه الموصلات، ATE، أنظمة إدارة البطاريات (BMS)، الآلات الصناعية وصناعات السيارات الكهربائية.

تقدم Toward Technologies للعملاء مرحلات Opto-MOSFET وOpto-SiC MOSFET عالية الجودة منذ عام 1988، ومع التكنولوجيا المتقدمة و37 عامًا من الخبرة، تضمن Toward Technologies تلبية احتياجات كل عميل.